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Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 Bedienungsanleitung

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Richtige Gebrauchsanleitung

Die Vorschriften verpflichten den Verkäufer zur Übertragung der Gebrauchsanleitung Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 an den Erwerber, zusammen mit der Ware. Eine fehlende Anleitung oder falsche Informationen, die dem Verbraucher übertragen werden, bilden eine Grundlage für eine Reklamation aufgrund Unstimmigkeit des Geräts mit dem Vertrag. Rechtsmäßig lässt man das Anfügen einer Gebrauchsanleitung in anderer Form als Papierform zu, was letztens sehr oft genutzt wird, indem man eine grafische oder elektronische Anleitung von Cypress Semiconductor CY7C1422BV18, sowie Anleitungsvideos für Nutzer beifügt. Die Bedingung ist, dass ihre Form leserlich und verständlich ist.

Was ist eine Gebrauchsanleitung?

Das Wort kommt vom lateinischen „instructio”, d.h. ordnen. Demnach kann man in der Anleitung Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 die Beschreibung der Etappen der Vorgehensweisen finden. Das Ziel der Anleitung ist die Belehrung, Vereinfachung des Starts, der Nutzung des Geräts oder auch der Ausführung bestimmter Tätigkeiten. Die Anleitung ist eine Sammlung von Informationen über ein Gegenstand/eine Dienstleistung, ein Hinweis.

Leider widmen nicht viele Nutzer ihre Zeit der Gebrauchsanleitung Cypress Semiconductor CY7C1422BV18. Eine gute Gebrauchsanleitung erlaubt nicht nur eine Reihe zusätzlicher Funktionen des gekauften Geräts kennenzulernen, sondern hilft dabei viele Fehler zu vermeiden.

Was sollte also eine ideale Gebrauchsanleitung beinhalten?

Die Gebrauchsanleitung Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 sollte vor allem folgendes enthalten:
- Informationen über technische Daten des Geräts Cypress Semiconductor CY7C1422BV18
- Den Namen des Produzenten und das Produktionsjahr des Geräts Cypress Semiconductor CY7C1422BV18
- Grundsätze der Bedienung, Regulierung und Wartung des Geräts Cypress Semiconductor CY7C1422BV18
- Sicherheitszeichen und Zertifikate, die die Übereinstimmung mit entsprechenden Normen bestätigen

Warum lesen wir keine Gebrauchsanleitungen?

Der Grund dafür ist die fehlende Zeit und die Sicherheit, was die bestimmten Funktionen der gekauften Geräte angeht. Leider ist das Anschließen und Starten von Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 zu wenig. Eine Anleitung beinhaltet eine Reihe von Hinweisen bezüglich bestimmter Funktionen, Sicherheitsgrundsätze, Wartungsarten (sogar das, welche Mittel man benutzen sollte), eventueller Fehler von Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 und Lösungsarten für Probleme, die während der Nutzung auftreten könnten. Immerhin kann man in der Gebrauchsanleitung die Kontaktnummer zum Service Cypress Semiconductor finden, wenn die vorgeschlagenen Lösungen nicht wirksam sind. Aktuell erfreuen sich Anleitungen in Form von interessanten Animationen oder Videoanleitungen an Popularität, die den Nutzer besser ansprechen als eine Broschüre. Diese Art von Anleitung gibt garantiert, dass der Nutzer sich das ganze Video anschaut, ohne die spezifizierten und komplizierten technischen Beschreibungen von Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 zu überspringen, wie es bei der Papierform passiert.

Warum sollte man Gebrauchsanleitungen lesen?

In der Gebrauchsanleitung finden wir vor allem die Antwort über den Bau sowie die Möglichkeiten des Geräts Cypress Semiconductor CY7C1422BV18, über die Nutzung bestimmter Accessoires und eine Reihe von Informationen, die erlauben, jegliche Funktionen und Bequemlichkeiten zu nutzen.

Nach dem gelungenen Kauf des Geräts, sollte man einige Zeit für das Kennenlernen jedes Teils der Anleitung von Cypress Semiconductor CY7C1422BV18 widmen. Aktuell sind sie genau vorbereitet oder übersetzt, damit sie nicht nur verständlich für die Nutzer sind, aber auch ihre grundliegende Hilfs-Informations-Funktion erfüllen.

Inhaltsverzeichnis der Gebrauchsanleitungen

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    36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-07035 Rev . *D Revised June 16, 2 008 Features ■ 36-Mbit density (4M x 8, 4M x 9, 2M x 18, 1M x 36) ■ 300 MHz clock for h[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 2 of 30 Logic Block Diagram (CY7C1422BV18) Logic Block Diagram (CY7C1429BV18) 2M x 8 Array CLK A (20:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [7:0] Read Add. Decode Read Data Reg. LD Q [7:0] Reg. Reg. Reg. 8 16 8 NWS [1:0] V REF Write Add. Decode Wri te Da[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 3 of 30 Logic Block Diagram (CY7C1423BV18) Logic Block Diagram (CY7C1424BV18) 1M x 18 Array CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. LD Q [17:0] Reg. Reg. Reg. 18 36 18 BWS [1:0] V REF Write Add. Decode Wri [...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 4 of 30 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1422BV18, CY7C1429 BV18, CY7C1423BV18, and CY7C1424BV18 follow . [1] 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1 .4 mm) Pinout CY7C1422BV18 (4M x 8) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A R/W NWS 1 K NC/144M LD AA C Q B NC NC NC A[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 5 of 30 CY7C1423BV18 (2M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/144M A R/W BWS 1 K NC/28 8M LD A NC/72M CQ B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 V SS AAA V SS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q1 0 V SS V SS V SS V SS V SS NC NC D7 E NC NC Q1 1 V DDQ V SS V SS V SS V DD Q [...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 6 of 30 Pin Definitions Pin Name IO Pin Descripti on D [x:0] Input- Synchronous Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks during val id write opera tions. CY7C1422BV18 - D [7:0] CY7C1429BV18 - D [8:0] CY7C1423BV18 - D [17:0] CY7C1424BV18[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 7 of 30 CQ Echo Clock CQ Referenced with Respect to C . This is a free-running clock and is synchronized to the input clock for output data (C) of the DDR-II. In the single clock mode, CQ is generated with respect to K. The timi ngs for the echo clocks is show[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 8 of 30 Functional Overview The CY7C1422BV18, CY7C1429BV18, CY7C1423 BV18, and CY7C1424BV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs equipped with a DDR-II Seperate IO interface, which operates with a read latency of one and half cycles when DOFF pin is tied HIGH[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 9 of 30 Echo Clocks Echo clocks are provided on the DDR- II to simplify data capture on high-speed systems. T wo echo clocks ar e generated by the DDR-II. CQ is referenced with respect to C and CQ is referenced with respect to C . These are free-running clocks[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 10 of 30 T ruth T able The truth table for CY7C1422BV18, CY7C1429BV 18, CY7C1423BV18, and CY7C1424BV18 follo ws. [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K LD R/W DQ DQ Write Cycle: Load address; wait one cycle; input write data on consecutive K and K rising edges. L-H L [...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 1 1 of 30 Write Cycle Descriptions The write cycle description tabl e for CY7C1429BV18 follows. [2, 8] BWS 0 K K Comments L L–H – During the Data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] ) is writ te n in to the device. L – L–H During the [...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 12 of 30 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA p ackage. This part is fully comp liant with IEEE S tandard #1 149.1-2001. The T AP operates using JEDEC standard 1.8V IO log[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 13 of 30 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister . It also place s the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the device when the T AP controller enters the Shif[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 14 of 30 T AP Controller St ate Diagram The state diagram for the T AP controller follows. [9] TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 [...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 15 of 30 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 μ A1[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 16 of 30 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max Unit t TCYC TCK Clock Cycle Time 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH 20 ns t TL TCK Clock LOW 20 ns Setup Times t TMSS TMS Setup to[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 17 of 30 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e De scription CY7C1422BV18 CY7C1429BV18 CY7 C1423BV18 CY7C1424BV18 Revision Numb er (31:29) 000 000 000 000 V ersion number . Cypress Device ID (28:12) 1 101 01000100001 1 1 1 10101000100[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 18 of 30 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bum p ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1J 1 6 P2 9 9 G 5 7 5 B8 5 2 J 2 6N 30 1 1F 58 5A 86 3K 3 7P 31 1 1G 59 4A 87 3J 4 7 N3 2 9 F 6 0 5 C8 8 2 K 5 7R 33 10F 61 4B 89 1K 6 8R 34 1 1E 62 3A 9[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 19 of 30 Power Up Sequence in DDR-II SRAM DDR-II SRAMs must be power ed up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operation s. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DO FF either HIGH or LOW (All other inputs can be HIGH or LOW). ❐[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 20 of 30 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ............. ................. ... –65°C to +150°C Ambient T empe r at ur e with Power Applied.. –[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 21 of 30 I DD V DD Operating Supply V DD = Max, I OUT = 0 mA, f = f MAX = 1/t CYC 200MHz (x8) 600 mA (x9) 600 (x18) 600 (x36) 665 167MHz (x8) 500 mA (x9) 500 (x18) 500 (x36) 560 I SB1 Automatic Power down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V IN ≥ V IH[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 22 of 30 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Condit ions Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.8V , V DDQ = 1.5V 5 pF C CLK Clock Inpu[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 23 of 30 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consor tium Parameter Description 300 MHz 278 MHz 250 MHz 20 0 MHz 167 MHz Unit Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max t POWER V DD (T ypical) to the First Access [22] 1111[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 24 of 30 Output T imes t CO t CHQV C/C Clock Rise (or K/K in single clock mode) to Data V alid – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.50 ns t DOH t CHQX Data Output Hold af ter Output C/C Clock Rise (Active to Active) –0.45 – – 0.45 – –0.45 – ?[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 25 of 30 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [2 7, 28, 29 ] K 123 4 5 6 7 8 K LD R/W A Q D C C# READ (burst of 2) READ (burst of 2) READ (burst of 2) WRITE (burst of 2) WRITE (burst of 2) t KHCH t KHCH NOP NOP CQ CQ# t KH t KHKH t CO t [...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 26 of 30 Ordering Information Not all of the speed, package and temperature range s are ava ilable. Please contact your local sales representative or visit www .cypress.com for actual products offered. Spee d (MHz) Ordering Code Package Diagram Package T ype O[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 27 of 30 250 CY7C1422BV18-250BZC 51-85195 165-Ball F ine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Commercial CY7C1429BV18-250BZC CY7C1423BV18-250BZC CY7C1424BV18-250BZC CY7C1422BV18-250BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Fr[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 28 of 30 167 CY7C1422BV18-167BZC 51-85195 165-Ball F ine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Commercial CY7C1429BV18-167BZC CY7C1423BV18-167BZC CY7C1424BV18-167BZC CY7C1422BV18-167BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Fr[...]

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    CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, CY7C1424BV18 Document #: 001-07035 Rev . *D Page 29 of 30 Package Diagram Figure 6. 165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm), 51-8 5195 !  0).#/2.%2 ¼ ¼   8[...]

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    Document #: 001-07035 Rev . *D Revised June 16, 2008 Page 30 of 30 QDR RAMs an d Quad Data Rate RAMs comp rise a new family of product s developed by Cypress, I DT , NEC, R enesas, and Sa msung. All pr oduct and comp any names mentioned i n this documen t are the tr ad emarks of their resp ectiv e ho lders. CY7C1422BV18, CY7C1429BV18 CY7C1423BV18, [...]