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Cypress nvSRAM Bedienungsanleitung

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Ähnliche Gebrauchsanleitungen

Richtige Gebrauchsanleitung

Die Vorschriften verpflichten den Verkäufer zur Übertragung der Gebrauchsanleitung Cypress nvSRAM an den Erwerber, zusammen mit der Ware. Eine fehlende Anleitung oder falsche Informationen, die dem Verbraucher übertragen werden, bilden eine Grundlage für eine Reklamation aufgrund Unstimmigkeit des Geräts mit dem Vertrag. Rechtsmäßig lässt man das Anfügen einer Gebrauchsanleitung in anderer Form als Papierform zu, was letztens sehr oft genutzt wird, indem man eine grafische oder elektronische Anleitung von Cypress nvSRAM, sowie Anleitungsvideos für Nutzer beifügt. Die Bedingung ist, dass ihre Form leserlich und verständlich ist.

Was ist eine Gebrauchsanleitung?

Das Wort kommt vom lateinischen „instructio”, d.h. ordnen. Demnach kann man in der Anleitung Cypress nvSRAM die Beschreibung der Etappen der Vorgehensweisen finden. Das Ziel der Anleitung ist die Belehrung, Vereinfachung des Starts, der Nutzung des Geräts oder auch der Ausführung bestimmter Tätigkeiten. Die Anleitung ist eine Sammlung von Informationen über ein Gegenstand/eine Dienstleistung, ein Hinweis.

Leider widmen nicht viele Nutzer ihre Zeit der Gebrauchsanleitung Cypress nvSRAM. Eine gute Gebrauchsanleitung erlaubt nicht nur eine Reihe zusätzlicher Funktionen des gekauften Geräts kennenzulernen, sondern hilft dabei viele Fehler zu vermeiden.

Was sollte also eine ideale Gebrauchsanleitung beinhalten?

Die Gebrauchsanleitung Cypress nvSRAM sollte vor allem folgendes enthalten:
- Informationen über technische Daten des Geräts Cypress nvSRAM
- Den Namen des Produzenten und das Produktionsjahr des Geräts Cypress nvSRAM
- Grundsätze der Bedienung, Regulierung und Wartung des Geräts Cypress nvSRAM
- Sicherheitszeichen und Zertifikate, die die Übereinstimmung mit entsprechenden Normen bestätigen

Warum lesen wir keine Gebrauchsanleitungen?

Der Grund dafür ist die fehlende Zeit und die Sicherheit, was die bestimmten Funktionen der gekauften Geräte angeht. Leider ist das Anschließen und Starten von Cypress nvSRAM zu wenig. Eine Anleitung beinhaltet eine Reihe von Hinweisen bezüglich bestimmter Funktionen, Sicherheitsgrundsätze, Wartungsarten (sogar das, welche Mittel man benutzen sollte), eventueller Fehler von Cypress nvSRAM und Lösungsarten für Probleme, die während der Nutzung auftreten könnten. Immerhin kann man in der Gebrauchsanleitung die Kontaktnummer zum Service Cypress finden, wenn die vorgeschlagenen Lösungen nicht wirksam sind. Aktuell erfreuen sich Anleitungen in Form von interessanten Animationen oder Videoanleitungen an Popularität, die den Nutzer besser ansprechen als eine Broschüre. Diese Art von Anleitung gibt garantiert, dass der Nutzer sich das ganze Video anschaut, ohne die spezifizierten und komplizierten technischen Beschreibungen von Cypress nvSRAM zu überspringen, wie es bei der Papierform passiert.

Warum sollte man Gebrauchsanleitungen lesen?

In der Gebrauchsanleitung finden wir vor allem die Antwort über den Bau sowie die Möglichkeiten des Geräts Cypress nvSRAM, über die Nutzung bestimmter Accessoires und eine Reihe von Informationen, die erlauben, jegliche Funktionen und Bequemlichkeiten zu nutzen.

Nach dem gelungenen Kauf des Geräts, sollte man einige Zeit für das Kennenlernen jedes Teils der Anleitung von Cypress nvSRAM widmen. Aktuell sind sie genau vorbereitet oder übersetzt, damit sie nicht nur verständlich für die Nutzer sind, aber auch ihre grundliegende Hilfs-Informations-Funktion erfüllen.

Inhaltsverzeichnis der Gebrauchsanleitungen

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 256K x 8 (CY14B102L) or 128K x 16 (CY14B102[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 2 of 24 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II 48-FBGA (not to scale) Top View (x8) 48-FBGA (not to scale) Top View (x16) WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ0 A 4 A 5 NC DQ2 DQ3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A [...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 3 of 24 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 17 Input Address Inputs Used to Select one of the 262,144 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 16 Address Inputs Used to Select one of the 131,072 words o[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 4 of 24 Device Operation The CY14B102L/CY1 4B102N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is tra[...]

  • Seite 5

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 5 of 24 completion of the STORE operation, the CY14B102L/CY14B102N remains disab led until the HSB pin returns HIGH. Lea ve the HSB unconnected if it is not used. Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL r[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 6 of 24 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the followi ng sequence [...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 7 of 24 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature .......... ....................... –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime ............At 150 ° C Ambient T [...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 8 of 24 AC T est Conditions Input Pulse Levels ......... ............... .............. .............. 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%)...... .............. .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ............... .... 1.5V Dat a Retention and Endu[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 9 of 24 AC Switching Characteristics Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [15] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [16] t AA Address Access T[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 10 of 24 Figure 7. SRAM Read Cycl e #2: CE and OE Controlled [3, 15, 19] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 18, 19, 20] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6W DQGE $FWL YH +L JK ,P S HG DQ FH &( 2( %+(%/ ( , &am[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 1 1 of 24 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 18, 19, 20] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 18, 19, 20] 'D WD  2XW SX W 'DWD,QSXW ,QSXW 'D WD9DO LG +L JK ,P SH G DQ FH $GGUHVV9 DOLG $GGUHV V W :& W 6'[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 12 of 24 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t HRECALL [21] Power Up RECALL Duration 20 20 20 ms t STORE [22] ST ORE Cycle Duration 8 8 8 m s t DELA Y [23] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 20 25 25 ns V SWITCH Low V o[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 13 of 24 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [26, 27] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA A[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 14 of 24 Hardware STORE Cycle Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t DHSB HSB T o Outp ut Active Time when write latch not set 20 25 25 ns t PHSB Hardware STORE Pulse Wid t h 15 15 15 ns t SS [28, 29] Soft Sequence Proc essing T ime 100 1 00 100 ?[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 15 of 24 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data [...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 16 of 24 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T yp e Operating Range 20 CY14B102L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B102L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS20XA T 51-85087 4[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 17 of 24 25 CY14B102L-ZS25XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS25XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS25XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS25XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102N-BA25XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B102L-BA25X[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 18 of 24 45 CY14B102L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS45XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS45XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS45XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102L-BA45XCT 51-85128 48-b all FBGA Commercial CY14B102L-BA45[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 19 of 24 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20ns 45 - 45 ns Data Bus : L - x8 N - x16 Density: 102 - 2 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 102 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T em perat u[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 20 of 24 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 ([...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 21 of 24 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 22 of 24 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback[...]

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 23 of 24 Document History Page Document Title: CY14B102L/CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Document Number: 001-45754 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Change ** 2470086 GVCH New Data Sheet *A 2522209 GVCH/AESA 06/27/2008 Added Automo tive tem[...]

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    Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Page 24 of 24 AutoS tore and QuantumT rap are registe red trademarks of Simtek Co rporation. All product s and company name s mentioned in this doc ument are the tr ademarks of thei r respective hol ders. PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N © Cypress Semiconducto r Corporatio n, 2008. The infor[...]