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Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 manual

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Buen manual de instrucciones

Las leyes obligan al vendedor a entregarle al comprador, junto con el producto, el manual de instrucciones Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. La falta del manual o facilitar información incorrecta al consumidor constituyen una base de reclamación por no estar de acuerdo el producto con el contrato. Según la ley, está permitido adjuntar un manual de otra forma que no sea en papel, lo cual últimamente es bastante común y los fabricantes nos facilitan un manual gráfico, su versión electrónica Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 o vídeos de instrucciones para usuarios. La condición es que tenga una forma legible y entendible.

¿Qué es un manual de instrucciones?

El nombre proviene de la palabra latina “instructio”, es decir, ordenar. Por lo tanto, en un manual Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 se puede encontrar la descripción de las etapas de actuación. El propósito de un manual es enseñar, facilitar el encendido o el uso de un dispositivo o la realización de acciones concretas. Un manual de instrucciones también es una fuente de información acerca de un objeto o un servicio, es una pista.

Desafortunadamente pocos usuarios destinan su tiempo a leer manuales Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, sin embargo, un buen manual nos permite, no solo conocer una cantidad de funcionalidades adicionales del dispositivo comprado, sino también evitar la mayoría de fallos.

Entonces, ¿qué debe contener el manual de instrucciones perfecto?

Sobre todo, un manual de instrucciones Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 debe contener:
- información acerca de las especificaciones técnicas del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- nombre de fabricante y año de fabricación del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- condiciones de uso, configuración y mantenimiento del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- marcas de seguridad y certificados que confirmen su concordancia con determinadas normativas

¿Por qué no leemos los manuales de instrucciones?

Normalmente es por la falta de tiempo y seguridad acerca de las funcionalidades determinadas de los dispositivos comprados. Desafortunadamente la conexión y el encendido de Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 no es suficiente. El manual de instrucciones siempre contiene una serie de indicaciones acerca de determinadas funcionalidades, normas de seguridad, consejos de mantenimiento (incluso qué productos usar), fallos eventuales de Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 y maneras de solucionar los problemas que puedan ocurrir durante su uso. Al final, en un manual se pueden encontrar los detalles de servicio técnico Cypress Semiconductor en caso de que las soluciones propuestas no hayan funcionado. Actualmente gozan de éxito manuales de instrucciones en forma de animaciones interesantes o vídeo manuales que llegan al usuario mucho mejor que en forma de un folleto. Este tipo de manual ayuda a que el usuario vea el vídeo entero sin saltarse las especificaciones y las descripciones técnicas complicadas de Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, como se suele hacer teniendo una versión en papel.

¿Por qué vale la pena leer los manuales de instrucciones?

Sobre todo es en ellos donde encontraremos las respuestas acerca de la construcción, las posibilidades del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, el uso de determinados accesorios y una serie de informaciones que permiten aprovechar completamente sus funciones y comodidades.

Tras una compra exitosa de un equipo o un dispositivo, vale la pena dedicar un momento para familiarizarse con cada parte del manual Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. Actualmente se preparan y traducen con dedicación, para que no solo sean comprensibles para los usuarios, sino que también cumplan su función básica de información y ayuda.

Índice de manuales de instrucciones

  • Página 1

    18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with Q DR™ Ar c hi tectu r e CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05627 Rev . *A Revised April 3, 2006 Features • Separate independent Read and Write data ports — Supports concurrent transactions •[...]

  • Página 2

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 2 of 19 512Kx18 CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Q [17:0] Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 18 19 18 36 Wri te 18 BWS 0 Vr e f Write Add. Decode Data Reg Writ e Dat a Reg Memory Array 512Kx18 Memory Array 18 [...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 3 of 19 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1303BV25 (1M x 18 ) 1 2 3456 7 8 9 1 0 1 1 A NC Gnd/ 144M NC/ 36M WPS BWS 1 K NC RPS A Gnd/ 72M NC B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 VSS A A A VSS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q10 VSS VSS VSS VSS VSS NC NC D7 E NC[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 4 of 19 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write opera- tions. CY7C1303BV25 – D [17:0] CY7C1306BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW . Sampled on t[...]

  • Página 5

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 5 of 19 Introduction Functional Overview The CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAM equ ipped with both a Read port an d a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write port is dedicated to Write operations. Data flows into the SRAM throu[...]

  • Página 6

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 6 of 19 operation is identi cal to the operation if the device had zero skew between the K/K and C/C clocks. All timing parameters remain the same i n thi s mo de . T o use this mode of ope r a ti on , the user must tie C and C HIGH at power-up.This function is a strap option and not alte[...]

  • Página 7

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 7 of 19 Write Desc riptions (CY7C1303BV25) [2 , 8] BWS 0 BWS 1 KK Comment s L L L-H - During the Data portion of a W ri te sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the device. L L - L-H During the Data portion of a W rite sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the devi[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 8 of 19 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.1-1900. The T AP operates using JEDEC standard 2.5V I/O logi c levels. Disabling the JT AG[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 9 of 19 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state. SAMPLE Z The SAMPLE Z instruction caus es the b oundary scan register to be connected between th e TDI and TDO pins when th e T AP controller is in a Shift-DR s[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 10 of 19 T AP Controller S tate Diagram [9] Note: 9. The 0/1 next to each state re present s the value at TMS at the rising edge of TCK. TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR SELECT IR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -IR EXIT1[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 1 1 of 19 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristi cs Over the Operating Rang e [10, 14, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.7 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 µ A2 . 1 V V OL1 Output LOW V[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 12 of 19 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP T iming and T est Conditions [1 2] T AP AC Switching Characte ristics Over the Operating Range [1 1, 12] (continued) Parameter Description Min. Max. Unit (a) TDO C L = 20 pF Z 0 = [...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 13 of 19 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the In put/Output ring contents. IDCODE 001 Loads the ID register with the ve ndor ID code and places the re gister between[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 14 of 19 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N 29 9G 56 6A 83 1J 3 7P 30 11 F 57 5B 84 2J 4 7N 31 11 G 58 5A 85 3K 5 7R 32 9F 59 4A 86 3J 6 8R 33 10F 60 5C 87 2K 7 8P 34 11 E 61 4B 88 1K 8 9R 35 10[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 15 of 19 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... – 55°C to + 125°C Supply V oltage on V DD Relati[...]

  • Página 16

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 16 of 19 Cap acit ance [23] Parameter Description T est Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms Switching Characteristics Over the Opera[...]

  • Página 17

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 17 of 19 Switching W aveforms [25, 26, 27] Notes: 24. t CHZ , t CLZ , are specified with a load capa cit ance of 5 pF as in part (b) of AC T est Loads. Transition is m easured ± 100 mV from steady-st ate voltag e. 25. Q00 refers to output from address A0. Q01 ref ers to output from the n[...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 18 of 19 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress [...]

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    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 19 of 19 Document History Page Document Title: CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 18 -Mbit Burs t of 2 Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05627 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 25301 0 See ECN SYT New Data Sheet *A 43686 4 See ECN NXR Conve[...]