Cypress Semiconductor CY7C1310BV18 manual
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Buen manual de instrucciones
Las leyes obligan al vendedor a entregarle al comprador, junto con el producto, el manual de instrucciones Cypress Semiconductor CY7C1310BV18. La falta del manual o facilitar información incorrecta al consumidor constituyen una base de reclamación por no estar de acuerdo el producto con el contrato. Según la ley, está permitido adjuntar un manual de otra forma que no sea en papel, lo cual últimamente es bastante común y los fabricantes nos facilitan un manual gráfico, su versión electrónica Cypress Semiconductor CY7C1310BV18 o vídeos de instrucciones para usuarios. La condición es que tenga una forma legible y entendible.
¿Qué es un manual de instrucciones?
El nombre proviene de la palabra latina “instructio”, es decir, ordenar. Por lo tanto, en un manual Cypress Semiconductor CY7C1310BV18 se puede encontrar la descripción de las etapas de actuación. El propósito de un manual es enseñar, facilitar el encendido o el uso de un dispositivo o la realización de acciones concretas. Un manual de instrucciones también es una fuente de información acerca de un objeto o un servicio, es una pista.
Desafortunadamente pocos usuarios destinan su tiempo a leer manuales Cypress Semiconductor CY7C1310BV18, sin embargo, un buen manual nos permite, no solo conocer una cantidad de funcionalidades adicionales del dispositivo comprado, sino también evitar la mayoría de fallos.
Entonces, ¿qué debe contener el manual de instrucciones perfecto?
Sobre todo, un manual de instrucciones Cypress Semiconductor CY7C1310BV18 debe contener:
- información acerca de las especificaciones técnicas del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1310BV18
- nombre de fabricante y año de fabricación del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1310BV18
- condiciones de uso, configuración y mantenimiento del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1310BV18
- marcas de seguridad y certificados que confirmen su concordancia con determinadas normativas
¿Por qué no leemos los manuales de instrucciones?
Normalmente es por la falta de tiempo y seguridad acerca de las funcionalidades determinadas de los dispositivos comprados. Desafortunadamente la conexión y el encendido de Cypress Semiconductor CY7C1310BV18 no es suficiente. El manual de instrucciones siempre contiene una serie de indicaciones acerca de determinadas funcionalidades, normas de seguridad, consejos de mantenimiento (incluso qué productos usar), fallos eventuales de Cypress Semiconductor CY7C1310BV18 y maneras de solucionar los problemas que puedan ocurrir durante su uso. Al final, en un manual se pueden encontrar los detalles de servicio técnico Cypress Semiconductor en caso de que las soluciones propuestas no hayan funcionado. Actualmente gozan de éxito manuales de instrucciones en forma de animaciones interesantes o vídeo manuales que llegan al usuario mucho mejor que en forma de un folleto. Este tipo de manual ayuda a que el usuario vea el vídeo entero sin saltarse las especificaciones y las descripciones técnicas complicadas de Cypress Semiconductor CY7C1310BV18, como se suele hacer teniendo una versión en papel.
¿Por qué vale la pena leer los manuales de instrucciones?
Sobre todo es en ellos donde encontraremos las respuestas acerca de la construcción, las posibilidades del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1310BV18, el uso de determinados accesorios y una serie de informaciones que permiten aprovechar completamente sus funciones y comodidades.
Tras una compra exitosa de un equipo o un dispositivo, vale la pena dedicar un momento para familiarizarse con cada parte del manual Cypress Semiconductor CY7C1310BV18. Actualmente se preparan y traducen con dedicación, para que no solo sean comprensibles para los usuarios, sino que también cumplan su función básica de información y ayuda.
Índice de manuales de instrucciones
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18-Mbit QDR™-II SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05619 Rev . *F Revised June 2, 2008 Features ■ Separate independent read and write data ports ❐ Supports concurrent transac[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 2 of 29 Logic Block Diagram (CY7C1310BV18) Logic Block Diagram (CY7C1910BV18) 1M x 8 Array CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [7:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 8 20 16 8 NWS [1:0] V R[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 3 of 29 Logic Block Diagram (CY7C1312BV18) Logic Block Diagram (CY7C1314BV18) 512K x 18 Array CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 18 19 36 18 BWS [1:[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 4 of 29 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1310BV18, CY7C1910 BV18, CY7C1312BV18, and CY7 C1314BV18 follow . [1] 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1 .4 mm) Pinout CY7C1310BV18 (2M x 8) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A WPS NWS 1 K NC/144M RPS A NC/36M CQ B NC N[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 5 of 29 CY7C1312BV18 (1M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/144M NC/36M WPS BWS 1 K NC/28 8M RPS A NC/72M CQ B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 V SS AAA V SS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q1 0 V SS V SS V SS V SS V SS NC NC D7 E NC NC Q1 1 V DDQ V SS V SS V SS V [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 6 of 29 Pin Definitions Pin Name IO Pin Description D [x:0] Input- Synchronous Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks during val id write opera tions. CY7C1310BV18 - D [7:0] CY7C1910BV18 - D [8:0] CY7C1312BV18 - D [17:0] CY7C1314BV18 -[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 7 of 29 CQ Echo Clock CQ Referenced with Respect to C . This is a free - running clock and is synchronized to the Input clock for output data (C) of the QDR-II. In the single clock mode , CQ is generated wi th respect to K. The timing s for the echo clocks is s[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 8 of 29 Functional Overview The CY7C1310BV18, CY7C1910BV18, CY7C1312 BV18, and CY7C1314BV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs equipped with a read port and a write p ort. The read port is dedicated to read operatio ns and the write port is dedica ted to wri[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 9 of 29 Programmable Impedan ce An external resistor , RQ, must be connected between the ZQ pin on the SRAM and V SS to allow the SRAM to adjust its output driver impedance. The value of RQ must be 5x the value of th e intended line impedance d riven by the SRA[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 10 of 29 T ruth T able The truth table for CY7C1310BV18, CY7C1910BV 18, CY7C1312BV18, and CY7C1314BV18 follows. [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K RPS WPS DQ DQ Write Cycle: Load address on the rising ed ge of K ; input write data on K and K rising edges. L-H X L D[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 1 1 of 29 Write Cycle Descriptions The write cycle description tabl e for CY7C1910BV18 follows. [2, 8] BWS 0 K K Comments L L–H – During the data portion of a write sequence, the single b yte (D [8:0] ) is written into the device. L – L–H Du ring the da[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 12 of 29 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA p ackage. This part is fully comp liant with IEEE S tandard #1 149.1-1900. The T AP operates usin g JEDEC standard 1.8V IO log[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 13 of 29 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister . It also place s the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the device when the T AP controller enters the Shift[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 14 of 29 T AP Controller St ate Diagram The state diagram for the T AP controller follows. [9] TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 15 of 29 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 μ A1 [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 16 of 29 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max Unit t TCYC TCK Clock Cycle Time 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH 20 ns t TL TCK Clock LOW 20 ns Setup Times t TMSS TMS Setup to [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 17 of 29 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e Descriptio n CY7C1310BV18 CY7C1910BV18 CY7 C1312BV18 CY7C1314BV18 Revision Numb er (31:29) 000 000 000 000 V ersion number . Cypress Device ID (28:12) 1 101001 1010000101 1 101001 1010001[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 18 of 29 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 1 1H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 26 N 2 9 9 G 5 6 6 A 8 3 1 J 3 7P 30 1 1F 57 5B 84 2J 4 7N 31 1 1G 58 5A 85 3K 57 R 3 2 9 F 5 9 4 A 8 6 3 J 6 8R 33 10F 60 5C 8[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 19 of 29 Power Up Sequence in QDR-II SRAM QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operations. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DO FF either HIGH or LOW (all other inputs can be HIGH or LOW). ❐ Ap[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 20 of 29 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life o f the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ............. ................. ... –65°C to +150°C Ambient T empe r at ur e with Power Appl i ed. . [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 21 of 29 I SB1 Automatic Power Down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V IN ≥ V IH or V IN ≤ V IL f = f MAX = 1/t CYC , Inputs S tatic 250 MHz (x8) 400 mA (x9) 400 (x18) 400 (x36) 450 200 MHz (x8) 380 mA (x9) 380 (x18) 380 (x36) 400 167 MHz (x8) 360 [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 22 of 29 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Condition s Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.8V , V DDQ = 1.5V 5 pF C CLK Clock Input[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 23 of 29 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consor tium Parameter Description 250 MHz 200 MHz 167 MHz Unit Min Max Min Max Min Max t POWER V DD (T ypical) to the First Access [22] 111 m s t CYC t KHKH K Clock and C Clo[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 24 of 29 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [2 6, 27, 28 ] K 1 2 34 5 8 10 6 7 K RPS WPS A D READ READ WRITE WRITE WRITE NOP READ WRITE NOP 9 A0 t KH t KHKH t KL t CY C tt HC t SA t HA t SD t HD SC t t SA t HA t SD t HD A6 A5 A3 A4 A1 A[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 25 of 29 Ordering Information Not all of the speed, package, and temper ature ranges are available. Please cont act your local sale s representative or visit www .cypress.com for actual products offered. Spee d (MHz) Ordering Code Package Diagram Package T ype [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 26 of 29 167 CY7C1310BV18-167BZC 51-85180 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1910BV18-167BZC CY7C1312BV18-167BZC CY7C1314BV18-167BZC CY7C1310BV18-167BZXC 51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 m m) Pb-Fre[...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 27 of 29 Package Diagram Figure 6. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm), 51-85180 A 1 PIN 1 CORNER 15.00±0.10 13.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø 0 . 2 5MCAB Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.35±0.06 SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C PIN 1 CORNER TOP VIEW BOTTOM [...]
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CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY7C1312BV18, CY7C1314BV18 Document #: 38-05619 Rev . *F Page 28 of 29 Document History Page Document Title: CY7C1310BV18/CY7C1910BV18/CY7C1312BV18 /C Y7C1314BV18, 18-Mbit QDR™-II SRAM 2-Word Burst Architecture Document Number: 38-05619 Rev . ECN No. Submission Date Orig, of Change Description of Change ** 25247 4 See E[...]
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Document #: 38-05619 Rev . *F Revised June 2, 2008 Page 29 of 29 QDR RAMs and Qua d Data Ra te RA Ms comprise a ne w fam i ly of pr od uct s developed by Cypress, Hit a chi, IDT , NE C , an d S am s un g. A l l p r oduct and company names mentioned in this d ocume nt a re the tradem arks of their r es pective hold ers. CY7C1310BV18, CY7C1910BV18 CY[...]