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Cypress Semiconductor CY7C1217H manuel d'utilisation

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Les manuels d’utilisation similaires

Un bon manuel d’utilisation

Les règles imposent au revendeur l'obligation de fournir à l'acheteur, avec des marchandises, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1217H. Le manque du manuel d’utilisation ou les informations incorrectes fournies au consommateur sont à la base d'une plainte pour non-conformité du dispositif avec le contrat. Conformément à la loi, l’inclusion du manuel d’utilisation sous une forme autre que le papier est autorisée, ce qui est souvent utilisé récemment, en incluant la forme graphique ou électronique du manuel Cypress Semiconductor CY7C1217H ou les vidéos d'instruction pour les utilisateurs. La condition est son caractère lisible et compréhensible.

Qu'est ce que le manuel d’utilisation?

Le mot vient du latin "Instructio", à savoir organiser. Ainsi, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1217H décrit les étapes de la procédure. Le but du manuel d’utilisation est d’instruire, de faciliter le démarrage, l'utilisation de l'équipement ou l'exécution des actions spécifiques. Le manuel d’utilisation est une collection d'informations sur l'objet/service, une indice.

Malheureusement, peu d'utilisateurs prennent le temps de lire le manuel d’utilisation, et un bon manuel permet non seulement d’apprendre à connaître un certain nombre de fonctionnalités supplémentaires du dispositif acheté, mais aussi éviter la majorité des défaillances.

Donc, ce qui devrait contenir le manuel parfait?

Tout d'abord, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1217H devrait contenir:
- informations sur les caractéristiques techniques du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1217H
- nom du fabricant et année de fabrication Cypress Semiconductor CY7C1217H
- instructions d'utilisation, de réglage et d’entretien de l'équipement Cypress Semiconductor CY7C1217H
- signes de sécurité et attestations confirmant la conformité avec les normes pertinentes

Pourquoi nous ne lisons pas les manuels d’utilisation?

Habituellement, cela est dû au manque de temps et de certitude quant à la fonctionnalité spécifique de l'équipement acheté. Malheureusement, la connexion et le démarrage Cypress Semiconductor CY7C1217H ne suffisent pas. Le manuel d’utilisation contient un certain nombre de lignes directrices concernant les fonctionnalités spécifiques, la sécurité, les méthodes d'entretien (même les moyens qui doivent être utilisés), les défauts possibles Cypress Semiconductor CY7C1217H et les moyens de résoudre des problèmes communs lors de l'utilisation. Enfin, le manuel contient les coordonnées du service Cypress Semiconductor en l'absence de l'efficacité des solutions proposées. Actuellement, les manuels d’utilisation sous la forme d'animations intéressantes et de vidéos pédagogiques qui sont meilleurs que la brochure, sont très populaires. Ce type de manuel permet à l'utilisateur de voir toute la vidéo d'instruction sans sauter les spécifications et les descriptions techniques compliquées Cypress Semiconductor CY7C1217H, comme c’est le cas pour la version papier.

Pourquoi lire le manuel d’utilisation?

Tout d'abord, il contient la réponse sur la structure, les possibilités du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1217H, l'utilisation de divers accessoires et une gamme d'informations pour profiter pleinement de toutes les fonctionnalités et commodités.

Après un achat réussi de l’équipement/dispositif, prenez un moment pour vous familiariser avec toutes les parties du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1217H. À l'heure actuelle, ils sont soigneusement préparés et traduits pour qu'ils soient non seulement compréhensibles pour les utilisateurs, mais pour qu’ils remplissent leur fonction de base de l'information et d’aide.

Table des matières du manuel d’utilisation

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    CY7C1217H 1-Mbit (32K x 36) Flow-Through Sync SRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05670 Rev . *B Revised July 6, 2006 Features • 32K x 36 common I/O • 3.3V core power supply (V DD ) • 2.5V/3.3V I/O power supply (V DDQ ) • Fast clock-to-output times ?[...]

  • Page 2

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 2 of 16 Logic Block Diagram ADDRESS REGISTER BURST COUNTER AND LOGIC CLR Q1 Q0 ENABLE REGISTER SENSE AMPS OUTPUT BUFFERS INPUT REGISTERS MEMORY ARRAY MODE A [1:0] ZZ DQ s DQP A DQP B DQP C DQP D A 0, A1, A ADV CLK ADSP ADSC BW D BW C BW B BW A BWE CE1 CE2 CE3 OE GW SLEEP CONTROL DQ A , DQP A BYTE WRITE R[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 3 of 16 Pin Configuration 100-Pin TQFP A A A A A 1 A 0 NC/72M NC/36M V SS V DD NC/9M A A A A A NC/4M DQP B DQ B V DDQ V SSQ DQ B DQ B DQ B DQ B V SSQ V DDQ DQ B DQ B V SS NC V DD DQ A DQ A V DDQ V SSQ DQ A DQ A DQ A DQ A V SSQ V DDQ DQ A DQ A DQP A DQP C DQ C DQ C V DDQ V SSQ DQ C DQ C DQ C DQ C V SSQ V [...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 4 of 16 Pin Descriptions Name I/O Description A0, A1, A Input- Synchronous Address Inputs used to select one of the 32K address location s. Sampled at the rising edge of the CL K if ADSP or ADSC is active LOW , and CE 1 , CE 2 , and CE 3 are sampled active. A [1:0] feed the 2-bit counter . BW A , BW B BW[...]

  • Page 5

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 5 of 16 Functional Overview All synchronous inputs pass through input registers controlled by the rising edge o f the clock. Maximum access delay from the clock rise (t CDV ) is 6.5 ns (133-MHz device). The CY7C1217H supports secondary cache in systems utilizing either a linear or interleaved burst sequ [...]

  • Page 6

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 6 of 16 ZZ Mode Electrical Characteristics Parameter Description T est Conditions Min. Max. U nit I DDZZ Sleep mode standby current ZZ > V DD – 0.2V 40 mA t ZZS Device operation to ZZ ZZ > V DD – 0.2V 2t CYC ns t ZZREC ZZ recovery time ZZ < 0.2V 2t CY C ns t ZZI ZZ Active to sleep current Th[...]

  • Page 7

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 7 of 16 T ruth T able for Read/W rite [2, 3] Function GW BWE BW D BW C BW B BW A R e a d H HXXXX R e a d H L HHHH Write Byte (A, DQP A ) H L HHH L Write Byte (B, DQP B )H L H H L H Write Bytes (B, A, DQP A , DQP B )H L H H L L Write Byte (C, DQP C ) HLHLH H Write Bytes (C, A, DQP C , DQP A ) HLHLHL Write[...]

  • Page 8

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 8 of 16 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. ... ... ... ... ....... –65 ° C to + 150 ° C Ambient T e mperature with Power Applied .............. ... ... ........... ... ... .. ..... –55 ° C to + 125 ?[...]

  • Page 9

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 9 of 16 Cap acit ance [9] Parameter Description T est Co nditions 100 TQFP Max. Unit C IN Input Capacit ance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 3.3V . V DDQ = 2.5V 5p F C CLK Clock Input Capacit ance 5 pF C I/O Input/Output Capacit ance 5 pF Thermal Resist ance [9] Parameter Descrip tio n T est Co nditions[...]

  • Page 10

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 10 of 16 Switching Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1] Parameter Description 133 MHz 100 MHz Unit Min. Max. Min. Max. t POWER V DD (T ypical) to the First Access [12] 11 m s Clock t CYC Clock Cycle T ime 7.5 10 ns t CH Clock HIGH 2.5 4.0 ns t CL Clock LOW 2.5 4.0 ns Output Times t CDV Dat [...]

  • Page 11

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 1 1 of 16 Timing Diagrams Read Cycle Timing [16] Note: 16. On this diagram, when CE is LOW, CE 1 is LOW, CE 2 is HIGH and CE 3 is LOW. When CE is HIGH, CE 1 is HIGH or CE 2 is LOW or CE 3 is HIGH. t CYC t CL CLK t ADH t ADS ADDRESS t CH t AH t AS A1 t CEH t CES Data Out (Q) High-Z t CLZ t DOH t CDV t OEH[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 12 of 16 Write Cycle T iming [16, 17] Note: 17. Full width Write can be initiate d by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW [A:D] LOW. Timing Diagrams (continued) t CYC t CL CLK t ADH t ADS ADDRESS t CH t AH t AS A1 t CEH t CES High-Z BURST READ BURST WRITE D(A2) D(A2 + 1) D(A2 + 1) D(A1) D(A3) D([...]

  • Page 13

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 13 of 16 Read/Write T iming [16, 18, 19] Notes: 18. The data bus (Q) remains in High-Z following a Write cycle unless an ADSP , ADSC , or ADV cycle is performed. 19. GW is HIGH. Timing Diagrams (continued) t CYC t CL CLK t ADH t ADS ADDRESS t CH t AH t AS A2 t CEH t CES Single WRITE D(A3) A3 A4 BURST REA[...]

  • Page 14

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 14 of 16 ZZ Mode T iming [20, 21] Notes: 20. Device must be deselected when entering ZZ mode. See Cycle Descr iptions t able for all possible signal conditions to deselect the device. 21. DQs are in High-Z when exiting ZZ sleep mode. Timing Diagrams (continued) t ZZ I SUPPLY CLK ZZ t ZZREC A LL INPUTS (e[...]

  • Page 15

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 15 of 16 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress prod uct. Nor do[...]

  • Page 16

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 16 of 16 Document History Page Document Title: CY7C1217H 1-Mbit (32K x 36) Flow-Through Sync SRAM Document Number: 38 -05670 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 345879 See ECN PCI New Data Sheet *A 430677 See ECN NXR Changed ad dress of Cypress Semi conductor Corporation on [...]