Français dropdown-ico

Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 manuel d'utilisation

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19

Aller à la page of

Les manuels d’utilisation similaires

Un bon manuel d’utilisation

Les règles imposent au revendeur l'obligation de fournir à l'acheteur, avec des marchandises, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. Le manque du manuel d’utilisation ou les informations incorrectes fournies au consommateur sont à la base d'une plainte pour non-conformité du dispositif avec le contrat. Conformément à la loi, l’inclusion du manuel d’utilisation sous une forme autre que le papier est autorisée, ce qui est souvent utilisé récemment, en incluant la forme graphique ou électronique du manuel Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 ou les vidéos d'instruction pour les utilisateurs. La condition est son caractère lisible et compréhensible.

Qu'est ce que le manuel d’utilisation?

Le mot vient du latin "Instructio", à savoir organiser. Ainsi, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 décrit les étapes de la procédure. Le but du manuel d’utilisation est d’instruire, de faciliter le démarrage, l'utilisation de l'équipement ou l'exécution des actions spécifiques. Le manuel d’utilisation est une collection d'informations sur l'objet/service, une indice.

Malheureusement, peu d'utilisateurs prennent le temps de lire le manuel d’utilisation, et un bon manuel permet non seulement d’apprendre à connaître un certain nombre de fonctionnalités supplémentaires du dispositif acheté, mais aussi éviter la majorité des défaillances.

Donc, ce qui devrait contenir le manuel parfait?

Tout d'abord, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 devrait contenir:
- informations sur les caractéristiques techniques du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- nom du fabricant et année de fabrication Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- instructions d'utilisation, de réglage et d’entretien de l'équipement Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- signes de sécurité et attestations confirmant la conformité avec les normes pertinentes

Pourquoi nous ne lisons pas les manuels d’utilisation?

Habituellement, cela est dû au manque de temps et de certitude quant à la fonctionnalité spécifique de l'équipement acheté. Malheureusement, la connexion et le démarrage Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 ne suffisent pas. Le manuel d’utilisation contient un certain nombre de lignes directrices concernant les fonctionnalités spécifiques, la sécurité, les méthodes d'entretien (même les moyens qui doivent être utilisés), les défauts possibles Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 et les moyens de résoudre des problèmes communs lors de l'utilisation. Enfin, le manuel contient les coordonnées du service Cypress Semiconductor en l'absence de l'efficacité des solutions proposées. Actuellement, les manuels d’utilisation sous la forme d'animations intéressantes et de vidéos pédagogiques qui sont meilleurs que la brochure, sont très populaires. Ce type de manuel permet à l'utilisateur de voir toute la vidéo d'instruction sans sauter les spécifications et les descriptions techniques compliquées Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, comme c’est le cas pour la version papier.

Pourquoi lire le manuel d’utilisation?

Tout d'abord, il contient la réponse sur la structure, les possibilités du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, l'utilisation de divers accessoires et une gamme d'informations pour profiter pleinement de toutes les fonctionnalités et commodités.

Après un achat réussi de l’équipement/dispositif, prenez un moment pour vous familiariser avec toutes les parties du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. À l'heure actuelle, ils sont soigneusement préparés et traduits pour qu'ils soient non seulement compréhensibles pour les utilisateurs, mais pour qu’ils remplissent leur fonction de base de l'information et d’aide.

Table des matières du manuel d’utilisation

  • Page 1

    18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with Q DR™ Ar c hi tectu r e CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05627 Rev . *A Revised April 3, 2006 Features • Separate independent Read and Write data ports — Supports concurrent transactions •[...]

  • Page 2

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 2 of 19 512Kx18 CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Q [17:0] Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 18 19 18 36 Wri te 18 BWS 0 Vr e f Write Add. Decode Data Reg Writ e Dat a Reg Memory Array 512Kx18 Memory Array 18 [...]

  • Page 3

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 3 of 19 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1303BV25 (1M x 18 ) 1 2 3456 7 8 9 1 0 1 1 A NC Gnd/ 144M NC/ 36M WPS BWS 1 K NC RPS A Gnd/ 72M NC B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 VSS A A A VSS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q10 VSS VSS VSS VSS VSS NC NC D7 E NC[...]

  • Page 4

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 4 of 19 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write opera- tions. CY7C1303BV25 – D [17:0] CY7C1306BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW . Sampled on t[...]

  • Page 5

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 5 of 19 Introduction Functional Overview The CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAM equ ipped with both a Read port an d a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write port is dedicated to Write operations. Data flows into the SRAM throu[...]

  • Page 6

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 6 of 19 operation is identi cal to the operation if the device had zero skew between the K/K and C/C clocks. All timing parameters remain the same i n thi s mo de . T o use this mode of ope r a ti on , the user must tie C and C HIGH at power-up.This function is a strap option and not alte[...]

  • Page 7

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 7 of 19 Write Desc riptions (CY7C1303BV25) [2 , 8] BWS 0 BWS 1 KK Comment s L L L-H - During the Data portion of a W ri te sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the device. L L - L-H During the Data portion of a W rite sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the devi[...]

  • Page 8

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 8 of 19 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.1-1900. The T AP operates using JEDEC standard 2.5V I/O logi c levels. Disabling the JT AG[...]

  • Page 9

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 9 of 19 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state. SAMPLE Z The SAMPLE Z instruction caus es the b oundary scan register to be connected between th e TDI and TDO pins when th e T AP controller is in a Shift-DR s[...]

  • Page 10

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 10 of 19 T AP Controller S tate Diagram [9] Note: 9. The 0/1 next to each state re present s the value at TMS at the rising edge of TCK. TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR SELECT IR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -IR EXIT1[...]

  • Page 11

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 1 1 of 19 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristi cs Over the Operating Rang e [10, 14, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.7 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 µ A2 . 1 V V OL1 Output LOW V[...]

  • Page 12

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 12 of 19 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP T iming and T est Conditions [1 2] T AP AC Switching Characte ristics Over the Operating Range [1 1, 12] (continued) Parameter Description Min. Max. Unit (a) TDO C L = 20 pF Z 0 = [...]

  • Page 13

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 13 of 19 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the In put/Output ring contents. IDCODE 001 Loads the ID register with the ve ndor ID code and places the re gister between[...]

  • Page 14

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 14 of 19 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N 29 9G 56 6A 83 1J 3 7P 30 11 F 57 5B 84 2J 4 7N 31 11 G 58 5A 85 3K 5 7R 32 9F 59 4A 86 3J 6 8R 33 10F 60 5C 87 2K 7 8P 34 11 E 61 4B 88 1K 8 9R 35 10[...]

  • Page 15

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 15 of 19 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... – 55°C to + 125°C Supply V oltage on V DD Relati[...]

  • Page 16

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 16 of 19 Cap acit ance [23] Parameter Description T est Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms Switching Characteristics Over the Opera[...]

  • Page 17

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 17 of 19 Switching W aveforms [25, 26, 27] Notes: 24. t CHZ , t CLZ , are specified with a load capa cit ance of 5 pF as in part (b) of AC T est Loads. Transition is m easured ± 100 mV from steady-st ate voltag e. 25. Q00 refers to output from address A0. Q01 ref ers to output from the n[...]

  • Page 18

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 18 of 19 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress [...]

  • Page 19

    CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 19 of 19 Document History Page Document Title: CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 18 -Mbit Burs t of 2 Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05627 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 25301 0 See ECN SYT New Data Sheet *A 43686 4 See ECN NXR Conve[...]