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Cypress Semiconductor CY7C1310AV18 manuel d'utilisation

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Les manuels d’utilisation similaires

Un bon manuel d’utilisation

Les règles imposent au revendeur l'obligation de fournir à l'acheteur, avec des marchandises, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1310AV18. Le manque du manuel d’utilisation ou les informations incorrectes fournies au consommateur sont à la base d'une plainte pour non-conformité du dispositif avec le contrat. Conformément à la loi, l’inclusion du manuel d’utilisation sous une forme autre que le papier est autorisée, ce qui est souvent utilisé récemment, en incluant la forme graphique ou électronique du manuel Cypress Semiconductor CY7C1310AV18 ou les vidéos d'instruction pour les utilisateurs. La condition est son caractère lisible et compréhensible.

Qu'est ce que le manuel d’utilisation?

Le mot vient du latin "Instructio", à savoir organiser. Ainsi, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1310AV18 décrit les étapes de la procédure. Le but du manuel d’utilisation est d’instruire, de faciliter le démarrage, l'utilisation de l'équipement ou l'exécution des actions spécifiques. Le manuel d’utilisation est une collection d'informations sur l'objet/service, une indice.

Malheureusement, peu d'utilisateurs prennent le temps de lire le manuel d’utilisation, et un bon manuel permet non seulement d’apprendre à connaître un certain nombre de fonctionnalités supplémentaires du dispositif acheté, mais aussi éviter la majorité des défaillances.

Donc, ce qui devrait contenir le manuel parfait?

Tout d'abord, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1310AV18 devrait contenir:
- informations sur les caractéristiques techniques du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1310AV18
- nom du fabricant et année de fabrication Cypress Semiconductor CY7C1310AV18
- instructions d'utilisation, de réglage et d’entretien de l'équipement Cypress Semiconductor CY7C1310AV18
- signes de sécurité et attestations confirmant la conformité avec les normes pertinentes

Pourquoi nous ne lisons pas les manuels d’utilisation?

Habituellement, cela est dû au manque de temps et de certitude quant à la fonctionnalité spécifique de l'équipement acheté. Malheureusement, la connexion et le démarrage Cypress Semiconductor CY7C1310AV18 ne suffisent pas. Le manuel d’utilisation contient un certain nombre de lignes directrices concernant les fonctionnalités spécifiques, la sécurité, les méthodes d'entretien (même les moyens qui doivent être utilisés), les défauts possibles Cypress Semiconductor CY7C1310AV18 et les moyens de résoudre des problèmes communs lors de l'utilisation. Enfin, le manuel contient les coordonnées du service Cypress Semiconductor en l'absence de l'efficacité des solutions proposées. Actuellement, les manuels d’utilisation sous la forme d'animations intéressantes et de vidéos pédagogiques qui sont meilleurs que la brochure, sont très populaires. Ce type de manuel permet à l'utilisateur de voir toute la vidéo d'instruction sans sauter les spécifications et les descriptions techniques compliquées Cypress Semiconductor CY7C1310AV18, comme c’est le cas pour la version papier.

Pourquoi lire le manuel d’utilisation?

Tout d'abord, il contient la réponse sur la structure, les possibilités du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1310AV18, l'utilisation de divers accessoires et une gamme d'informations pour profiter pleinement de toutes les fonctionnalités et commodités.

Après un achat réussi de l’équipement/dispositif, prenez un moment pour vous familiariser avec toutes les parties du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1310AV18. À l'heure actuelle, ils sont soigneusement préparés et traduits pour qu'ils soient non seulement compréhensibles pour les utilisateurs, mais pour qu’ils remplissent leur fonction de base de l'information et d’aide.

Table des matières du manuel d’utilisation

  • Page 1

    PRELIMINARY 18-Mb QDR™-II SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-943-2600 Document #: 38-05497 Rev . *A Revised June 1, 2004 Features • Separate independent Read and Write data ports — Supports concurrent transact[...]

  • Page 2

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 2 of 21 Selection Guide 167 MHz 133 MHz Unit Maximum Operating Freq uency 167 133 MHz Maximum Operating Curren t 800 700 mA Logic Block Diagram (CY7C1312A V18) CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. De code Read Data Reg. RPS WP[...]

  • Page 3

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 3 of 21 Pin Configurations CY7C1310A V18 (2M × 8) – 1 1 × 15 BGA 23 45 6 7 1 A B C D E F G H J K L M N P R A CQ NC NC NC NC DOFF NC V SS /72M A BWS 1 K WPS NC/144M NC NC NC NC NC TDO NC NC D5 NC NC NC TCK NC NC A NC/288M K BWS 0 V SS AAA NC V SS V SS V SS V[...]

  • Page 4

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 4 of 21 Pin Definitions Pin Name I/O Pin Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write operations . CY7C1310A V18 - D [7:0] CY7C1312A V18 - D [17:0] CY7C1314A V18 - D [35:0] WPS Input-[...]

  • Page 5

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 5 of 21 Q [x:0] Outputs- Synchronous Data Output signals . These pins drive out the reque st ed data during a Read operati on. V alid data is driven out on the ri sing edge of both the C and C clocks during Read operations or K and K when in single clock mode. [...]

  • Page 6

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 6 of 21 Introduction Functional Overview The CY7C1310A V18/CY7C1312A V18/CY7C1314A V18 are synchronous pi pelined Burst SRAMs equipped with both a Read port and a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Writ e port is dedicated to Writ[...]

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    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 7 of 21 Depth Exp ansion The CY7C1312A V18 has a Port Select input for each port. This allows for easy depth expansion. Both Port Selects are sampled on the rising edge of the Positive Input Clock only (K). Each port select input can dese lect the specified por[...]

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    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 8 of 21 Write Cycl e Descriptions (CY7C1310A V18 and CY7C1312A V18) [2, 8] BWS 0 BWS 1 KK Comment s L L L-H – During the Data portion of a Write sequence : CY7C1310A V18 − both nibbles (D [7:0] ) are written into the device, CY7C1312A V18 − both bytes (D [...]

  • Page 9

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 9 of 21 Maximum Ratings (Above which useful l ife may be impaired.) S torage T emperature ............. .............. ...... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ...... –55 °C to +125°C Suppl[...]

  • Page 10

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 10 of 21 Switching Characteristics Over the Operating Range [1 6,17] Cypress Consortium Description 167 MHz 133 MHz Unit Parameter Parameter Min. Max. Min. Max. t CYC t KHKH K Clock and C Clock Cycle T ime 6.0 7.9 7.5 8.4 ns t KH t KHKL Input Clock (K/K and C/C[...]

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    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 1 1 of 21 Cap acit ance [20] Parameter Descripti on T est Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.8V V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms Note: 20. [...]

  • Page 12

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 12 of 21 Switching W aveforms [21,22,23] Notes: 21. Q00 refers to output from address A0. Q01 ref ers to output from the next internal burst address following A0 i.e., A0+1. 22. Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP . 23. In this example , if[...]

  • Page 13

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 13 of 21 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Sc an (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.1-1900. The T AP operates using JEDEC standard 1.8V I/O logi[...]

  • Page 14

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 14 of 21 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state. SAMPLE Z The SAMPLE Z instruction caus es the b oundary scan register to be connected between th e TDI and TDO pins when th e T AP [...]

  • Page 15

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 15 of 21 Note: 24. The 0/1 next to each state represent s the value at TMS at the rising edge of TCK. T AP Controller S tate Diagram [24] TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P A USE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR SELECT IR-S[...]

  • Page 16

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 16 of 21 T AP Controller Block Diagram T AP Electric al Characteristics Over the Operating R ange [9,12,25] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIG H V oltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIG H V oltage I OH = − 100 µ A[...]

  • Page 17

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 17 of 21 T AP AC Switc hing Characteristics Over the Operating Range [26, 27] Parameter Description Min. Max. Unit t TCYC TCK Clock Cycle T i me 100 ns t TF TCK Clock Frequency 10 MHz t TH TCK Clock HIGH 40 ns t TL TCK Clock LOW 40 ns Set-up Times t TMSS TMS Se[...]

  • Page 18

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 18 of 21 Identification Register Definitions Instruction F ield CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314 A V18 Description 2M x 8 1M x 18 512K x 36 Revision Number (31:29) 000 000 000 V ersion number . Cypress Device ID (28:12) 1 101001 1010000101 1 101001 10 10010[...]

  • Page 19

    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 19 of 21 30 1 1F 31 1 1G 32 9F 33 10F 34 1 1E 35 10E 36 10D 37 9E 38 10C 39 1 1D 40 9C 41 9D 42 1 1B 43 1 1C 44 9B 45 10B 46 1 1A 47 Internal 48 9A 49 8B 50 7C 51 6C 52 8A 53 7A 54 7B 55 6B 56 6A 57 5B 58 5A 59 4A 60 5C 61 4B 62 3A 63 1H 64 1A 65 2B 66 3B 67 1C[...]

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    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 20 of 21 QDR  SRAMs and Quad Data Rate  SRAMs comprise a new family of products developed by Cypress, Hi tachi, IDT , NEC and Samsung technology . All product and company names mentioned in th is documen t are the trademarks of their respe ctive holders. [...]

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    CY7C1310A V18 CY7C1312A V18 CY7C1314A V18 PRELIMINARY Document #: 38-05497 Rev . *A Page 21 of 21 Document History Page Document Title: CY7C1310 A V18/CY7C1312A V18/CY7C1314A V1 8 18-Mb QDR™-II SRAM 2-Word Burst Architecture Document Number: 38-05497 REV . ECN No. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 208405 see ECN DIM New Data She[...]