Cypress Semiconductor CY7C1317CV18 manuel d'utilisation
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Un bon manuel d’utilisation
Les règles imposent au revendeur l'obligation de fournir à l'acheteur, avec des marchandises, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1317CV18. Le manque du manuel d’utilisation ou les informations incorrectes fournies au consommateur sont à la base d'une plainte pour non-conformité du dispositif avec le contrat. Conformément à la loi, l’inclusion du manuel d’utilisation sous une forme autre que le papier est autorisée, ce qui est souvent utilisé récemment, en incluant la forme graphique ou électronique du manuel Cypress Semiconductor CY7C1317CV18 ou les vidéos d'instruction pour les utilisateurs. La condition est son caractère lisible et compréhensible.
Qu'est ce que le manuel d’utilisation?
Le mot vient du latin "Instructio", à savoir organiser. Ainsi, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1317CV18 décrit les étapes de la procédure. Le but du manuel d’utilisation est d’instruire, de faciliter le démarrage, l'utilisation de l'équipement ou l'exécution des actions spécifiques. Le manuel d’utilisation est une collection d'informations sur l'objet/service, une indice.
Malheureusement, peu d'utilisateurs prennent le temps de lire le manuel d’utilisation, et un bon manuel permet non seulement d’apprendre à connaître un certain nombre de fonctionnalités supplémentaires du dispositif acheté, mais aussi éviter la majorité des défaillances.
Donc, ce qui devrait contenir le manuel parfait?
Tout d'abord, le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1317CV18 devrait contenir:
- informations sur les caractéristiques techniques du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1317CV18
- nom du fabricant et année de fabrication Cypress Semiconductor CY7C1317CV18
- instructions d'utilisation, de réglage et d’entretien de l'équipement Cypress Semiconductor CY7C1317CV18
- signes de sécurité et attestations confirmant la conformité avec les normes pertinentes
Pourquoi nous ne lisons pas les manuels d’utilisation?
Habituellement, cela est dû au manque de temps et de certitude quant à la fonctionnalité spécifique de l'équipement acheté. Malheureusement, la connexion et le démarrage Cypress Semiconductor CY7C1317CV18 ne suffisent pas. Le manuel d’utilisation contient un certain nombre de lignes directrices concernant les fonctionnalités spécifiques, la sécurité, les méthodes d'entretien (même les moyens qui doivent être utilisés), les défauts possibles Cypress Semiconductor CY7C1317CV18 et les moyens de résoudre des problèmes communs lors de l'utilisation. Enfin, le manuel contient les coordonnées du service Cypress Semiconductor en l'absence de l'efficacité des solutions proposées. Actuellement, les manuels d’utilisation sous la forme d'animations intéressantes et de vidéos pédagogiques qui sont meilleurs que la brochure, sont très populaires. Ce type de manuel permet à l'utilisateur de voir toute la vidéo d'instruction sans sauter les spécifications et les descriptions techniques compliquées Cypress Semiconductor CY7C1317CV18, comme c’est le cas pour la version papier.
Pourquoi lire le manuel d’utilisation?
Tout d'abord, il contient la réponse sur la structure, les possibilités du dispositif Cypress Semiconductor CY7C1317CV18, l'utilisation de divers accessoires et une gamme d'informations pour profiter pleinement de toutes les fonctionnalités et commodités.
Après un achat réussi de l’équipement/dispositif, prenez un moment pour vous familiariser avec toutes les parties du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1317CV18. À l'heure actuelle, ils sont soigneusement préparés et traduits pour qu'ils soient non seulement compréhensibles pour les utilisateurs, mais pour qu’ils remplissent leur fonction de base de l'information et d’aide.
Table des matières du manuel d’utilisation
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Page 1
18-Mbit DDR-II SRAM 4-W ord Burst Architecture CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document Number: 001-07161 Rev . *D Revised June 18, 2008 Features ■ 18-Mbit density (2M x 8, 2M x 9, 1M x 18, 512K x 36) ■ 300 MHz clock for[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 2 of 31 Logic Block Diagram (CY7C1317CV18) Logic Block Diagram (CY7C1917CV18) Writ e Reg CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register Read Add. Decode Read Data Reg. R/W DQ [7:0] Output Logic Reg. Reg. Reg. 16 8 32 8 NWS [1:0] V REF Write Add. Dec[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 3 of 31 Logic Block Diagram (CY7C1319CV18) Logic Block Diagram (CY7C1321CV18) Writ e Reg CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register Read Add. Decode Read Data Reg. R/W Output Logic Reg. Reg. Reg. 36 72 18 BWS [1:0] V REF Write Add. Decode 36 20 [...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 4 of 31 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1317CV18, CY7C191 7CV18, CY7C1319CV18, and CY7C1321CV18 follo w . [1] 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1 .4 mm) Pinout CY7C1317CV18 (2M x 8) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A R/W NWS 1 K NC/144M LD A NC/36M CQ B[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 5 of 31 CY7C1319CV18 (1M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A R/W BWS 1 K NC/14 4M LD A NC/36M CQ B NC DQ9 NC A NC/288M K BWS 0 AN C N C D Q 8 C NC NC NC V SS AA 0 A 1 V SS NC DQ7 NC D NC NC DQ10 V SS V SS V SS V SS V SS NC NC NC E NC NC DQ1 1 V DDQ V SS V[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 6 of 31 Pin Definitions Pin Name IO Pin Descripti on DQ [x:0] Input Output- Synchronous Dat a Input Output S ignals . Inputs are sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write operations. These pins dri ve out t he requested data during a[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 7 of 31 CQ Output Clock CQ Referenced with Respect to C . This is a free running clock and is synchronized to the input clock for output data (C) of the DDR-II. In single clock mo de, CQ is generated with resp ect to K. The timing for the echo clocks is s[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 8 of 31 Functional Overview The CY7C1317CV18, CY7C1917CV18, CY7C1 319CV18, and CY7C1321CV18 are synchronous pi pelined Burst SRAMs equipped with a DDR interface, which operates with a read latency of one and half cycles when DOFF pin is tied HIGH. When DO[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 9 of 31 after the read(s), the st ored data from the ear lier write i s writte n into the SRAM array . This is called a posted write. If a read is performed o n the same address on which a write is performed in the previous cycle, the SRAM reads out the m[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 10 of 31 Application Example Figure 1 shows two DDR-II used in an applicatio n. Figure 1. Application Example T ruth T able The truth table for the CY7C1317CV18, CY7C1917 CV18, CY7C13 19CV18, and CY7C1321CV18 fo llows. [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K LD R/[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 1 1 of 31 Burst Address T able (CY7C1319CV18, CY7C1321CV18) First Address ( External) Second Addres s (Internal) Third Address (I nternal) Four th Address (Intern al) X..X00 X..X01 X..X10 X..X1 1 X..X01 X..X10 X..X1 1 X..X00 X..X10 X..X1 1 X..X00 X..X01 X[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 12 of 31 Write Cycle Descriptions The write cycle description t able for CY7C1 321CV18 follows. [2, 8] BWS 0 BWS 1 BWS 2 BWS 3 K K Comments LLLL L – H – D u r i n g t h e d a t a p o r t i o n o f a w r i t e s e quence, all fou r bytes (D [35:0] ) ar[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 13 of 31 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA p ackage. This part is fully comp liant with IEEE S tandard #1 149.1 -2001. The T AP operates using JEDEC standard 1.8V [...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 14 of 31 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister . It a lso places the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the device when the T AP controller enters the[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 15 of 31 T AP Controller St ate Diag ram The state diagram for the T AP controller follows. [9] TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC / IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 16 of 31 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 [...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 17 of 31 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max Unit t TCYC TCK Clock Cycle Time 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH 20 ns t TL TCK Clock LOW 20 ns Setup Times t TMSS TMS Set[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 18 of 31 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e Descriptio n CY7C1317CV18 CY7C1917CV18 CY7 C1319CV18 CY7C1321CV18 Revision Numb er (31:29) 000 000 000 000 V ersion numbe r . Cypress Device ID (28:12) 1 101010001 1000101 1 1010100[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 19 of 31 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bum p ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 2J 1 6 P2 9 9 G 5 7 5 B8 5 3 K 2 6N 30 1 1F 58 5A 86 3J 3 7P 31 1 1G 59 4A 87 2K 4 7 N3 2 9 F 6 0 5 C8 8 1 K 5 7R 33 10F 61 4B 89 2 L 6 8R 34 1 1E 6[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 20 of 31 Power Up Sequence in DDR-II SRAM DDR-II SRAMs must be power ed up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operations. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DO FF either HIGH or LOW (all other inputs can be HIGH or LOW).[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 21 of 31 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life o f the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ................ ................. –65°C to +150°C Ambient T emperature wit h Pow e r App l i e[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 22 of 31 I DD [19] V DD Operating Supply V DD = Max, I OUT = 0 mA, f = f MAX = 1/t CYC 200 MHz (x8) 580 mA (x9) 580 (x18) 600 (x36) 655 167 MHz (x8) 515 mA (x9) 515 (x18) 540 (x36) 600 I SB1 Automatic Power Down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 23 of 31 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Conditions Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.8V , V DDQ = 1.5V 5 pF C CLK Clock [...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 24 of 31 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consor tium Parameter Description 300 MHz 278 MHz 250 MHz 20 0 MH z 167 MHz Unit Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max t POWER V DD (T ypical) to the First Access [22[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 25 of 31 Output T imes t CO t CHQV C/C Clock Rise (or K/K in single clock mode) to Data V alid – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.50 ns t DOH t CHQX Data Output Hold af ter Output C/C Clock Rise (Active to Active) –0.45 – – 0.45 – –0.45 ?[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 26 of 31 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [2 7, 28, 29 ] K 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 A DQ C READ (burst of 4) READ (burst of 4) READ (burst of 4) NOP NOP WRITE (burst of 4) WRITE (burst of 4) NOP DON’ T CARE UNDEFINED CQ K[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 27 of 31 Ordering Information Not all of the speed, package and temperature ranges are ava ilable. Please contact your local sales representative or visit www .cypress.com for actual products offered. Spee d (MHz) Ordering Code Package Diagram Package T y[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 28 of 31 250 CY7C1317CV18-2 50BZC 51-85180 1 65-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1917CV18-250BZC CY7C1319CV18-250BZC CY7C1321CV18-250BZC CY7C1317CV18-250BZXC 5 1-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 29 of 31 167 CY7C1317CV18-1 67BZC 51-85180 1 65-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1917CV18-167BZC CY7C1319CV18-167BZC CY7C1321CV18-167BZC CY7C1317CV18-167BZXC 5 1-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)[...]
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CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV18, CY7C1321CV18 Document Number: 001-07161 Rev . *D Page 30 of 31 Package Diagram Figure 6. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm), 51-85180 A 1 PIN 1 CORNER 15.00±0.10 13.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø 0 . 2 5MCAB Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.35±0.06 SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C PIN 1 CORNER TOP VIEW B[...]
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Document Number: 001-07161 Rev . *D Revised June 18, 2008 Page 31 of 31 QDR RAMs an d Quad Data Rate RAMs comp rise a new family of product s develope d by Cypress, IDT , NEC, Renesas, and Samsung. All pr oduct and co mpany nam es mentioned i n this documen t are the tr ad emarks of their respe ctive hold ers. CY7C1317CV18, CY7C1917CV18 CY7C1319CV1[...]