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Cypress Semiconductor CY7C1217H manuale d’uso - BKManuals
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Cypress Semiconductor CY7C1217H manuale d’uso

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Un buon manuale d’uso

Le regole impongono al rivenditore l'obbligo di fornire all'acquirente, insieme alle merci, il manuale d’uso Cypress Semiconductor CY7C1217H. La mancanza del manuale d’uso o le informazioni errate fornite al consumatore sono la base di una denuncia in caso di inosservanza del dispositivo con il contratto. Secondo la legge, l’inclusione del manuale d’uso in una forma diversa da quella cartacea è permessa, che viene spesso utilizzato recentemente, includendo una forma grafica o elettronica Cypress Semiconductor CY7C1217H o video didattici per gli utenti. La condizione è il suo carattere leggibile e comprensibile.

Che cosa è il manuale d’uso?

La parola deriva dal latino "instructio", cioè organizzare. Così, il manuale d’uso Cypress Semiconductor CY7C1217H descrive le fasi del procedimento. Lo scopo del manuale d’uso è istruire, facilitare lo avviamento, l'uso di attrezzature o l’esecuzione di determinate azioni. Il manuale è una raccolta di informazioni sull'oggetto/servizio, un suggerimento.

Purtroppo, pochi utenti prendono il tempo di leggere il manuale d’uso, e un buono manuale non solo permette di conoscere una serie di funzionalità aggiuntive del dispositivo acquistato, ma anche evitare la maggioranza dei guasti.

Quindi cosa dovrebbe contenere il manuale perfetto?

Innanzitutto, il manuale d’uso Cypress Semiconductor CY7C1217H dovrebbe contenere:
- informazioni sui dati tecnici del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1217H
- nome del fabbricante e anno di fabbricazione Cypress Semiconductor CY7C1217H
- istruzioni per l'uso, la regolazione e la manutenzione delle attrezzature Cypress Semiconductor CY7C1217H
- segnaletica di sicurezza e certificati che confermano la conformità con le norme pertinenti

Perché non leggiamo i manuali d’uso?

Generalmente questo è dovuto alla mancanza di tempo e certezza per quanto riguarda la funzionalità specifica delle attrezzature acquistate. Purtroppo, la connessione e l’avvio Cypress Semiconductor CY7C1217H non sono sufficienti. Questo manuale contiene una serie di linee guida per funzionalità specifiche, la sicurezza, metodi di manutenzione (anche i mezzi che dovrebbero essere usati), eventuali difetti Cypress Semiconductor CY7C1217H e modi per risolvere i problemi più comuni durante l'uso. Infine, il manuale contiene le coordinate del servizio Cypress Semiconductor in assenza dell'efficacia delle soluzioni proposte. Attualmente, i manuali d’uso sotto forma di animazioni interessanti e video didattici che sono migliori che la brochure suscitano un interesse considerevole. Questo tipo di manuale permette all'utente di visualizzare tutto il video didattico senza saltare le specifiche e complicate descrizioni tecniche Cypress Semiconductor CY7C1217H, come nel caso della versione cartacea.

Perché leggere il manuale d’uso?

Prima di tutto, contiene la risposta sulla struttura, le possibilità del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1217H, l'uso di vari accessori ed una serie di informazioni per sfruttare totalmente tutte le caratteristiche e servizi.

Dopo l'acquisto di successo di attrezzature/dispositivo, prendere un momento per familiarizzare con tutte le parti del manuale d'uso Cypress Semiconductor CY7C1217H. Attualmente, sono preparati con cura e tradotti per essere comprensibili non solo per gli utenti, ma per svolgere la loro funzione di base di informazioni e di aiuto.

Sommario del manuale d’uso

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    CY7C1217H 1-Mbit (32K x 36) Flow-Through Sync SRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05670 Rev . *B Revised July 6, 2006 Features • 32K x 36 common I/O • 3.3V core power supply (V DD ) • 2.5V/3.3V I/O power supply (V DDQ ) • Fast clock-to-output times ?[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 2 of 16 Logic Block Diagram ADDRESS REGISTER BURST COUNTER AND LOGIC CLR Q1 Q0 ENABLE REGISTER SENSE AMPS OUTPUT BUFFERS INPUT REGISTERS MEMORY ARRAY MODE A [1:0] ZZ DQ s DQP A DQP B DQP C DQP D A 0, A1, A ADV CLK ADSP ADSC BW D BW C BW B BW A BWE CE1 CE2 CE3 OE GW SLEEP CONTROL DQ A , DQP A BYTE WRITE R[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 3 of 16 Pin Configuration 100-Pin TQFP A A A A A 1 A 0 NC/72M NC/36M V SS V DD NC/9M A A A A A NC/4M DQP B DQ B V DDQ V SSQ DQ B DQ B DQ B DQ B V SSQ V DDQ DQ B DQ B V SS NC V DD DQ A DQ A V DDQ V SSQ DQ A DQ A DQ A DQ A V SSQ V DDQ DQ A DQ A DQP A DQP C DQ C DQ C V DDQ V SSQ DQ C DQ C DQ C DQ C V SSQ V [...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 4 of 16 Pin Descriptions Name I/O Description A0, A1, A Input- Synchronous Address Inputs used to select one of the 32K address location s. Sampled at the rising edge of the CL K if ADSP or ADSC is active LOW , and CE 1 , CE 2 , and CE 3 are sampled active. A [1:0] feed the 2-bit counter . BW A , BW B BW[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 5 of 16 Functional Overview All synchronous inputs pass through input registers controlled by the rising edge o f the clock. Maximum access delay from the clock rise (t CDV ) is 6.5 ns (133-MHz device). The CY7C1217H supports secondary cache in systems utilizing either a linear or interleaved burst sequ [...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 6 of 16 ZZ Mode Electrical Characteristics Parameter Description T est Conditions Min. Max. U nit I DDZZ Sleep mode standby current ZZ > V DD – 0.2V 40 mA t ZZS Device operation to ZZ ZZ > V DD – 0.2V 2t CYC ns t ZZREC ZZ recovery time ZZ < 0.2V 2t CY C ns t ZZI ZZ Active to sleep current Th[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 7 of 16 T ruth T able for Read/W rite [2, 3] Function GW BWE BW D BW C BW B BW A R e a d H HXXXX R e a d H L HHHH Write Byte (A, DQP A ) H L HHH L Write Byte (B, DQP B )H L H H L H Write Bytes (B, A, DQP A , DQP B )H L H H L L Write Byte (C, DQP C ) HLHLH H Write Bytes (C, A, DQP C , DQP A ) HLHLHL Write[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 8 of 16 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. ... ... ... ... ....... –65 ° C to + 150 ° C Ambient T e mperature with Power Applied .............. ... ... ........... ... ... .. ..... –55 ° C to + 125 ?[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 9 of 16 Cap acit ance [9] Parameter Description T est Co nditions 100 TQFP Max. Unit C IN Input Capacit ance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 3.3V . V DDQ = 2.5V 5p F C CLK Clock Input Capacit ance 5 pF C I/O Input/Output Capacit ance 5 pF Thermal Resist ance [9] Parameter Descrip tio n T est Co nditions[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 10 of 16 Switching Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1] Parameter Description 133 MHz 100 MHz Unit Min. Max. Min. Max. t POWER V DD (T ypical) to the First Access [12] 11 m s Clock t CYC Clock Cycle T ime 7.5 10 ns t CH Clock HIGH 2.5 4.0 ns t CL Clock LOW 2.5 4.0 ns Output Times t CDV Dat [...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 1 1 of 16 Timing Diagrams Read Cycle Timing [16] Note: 16. On this diagram, when CE is LOW, CE 1 is LOW, CE 2 is HIGH and CE 3 is LOW. When CE is HIGH, CE 1 is HIGH or CE 2 is LOW or CE 3 is HIGH. t CYC t CL CLK t ADH t ADS ADDRESS t CH t AH t AS A1 t CEH t CES Data Out (Q) High-Z t CLZ t DOH t CDV t OEH[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 12 of 16 Write Cycle T iming [16, 17] Note: 17. Full width Write can be initiate d by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW [A:D] LOW. Timing Diagrams (continued) t CYC t CL CLK t ADH t ADS ADDRESS t CH t AH t AS A1 t CEH t CES High-Z BURST READ BURST WRITE D(A2) D(A2 + 1) D(A2 + 1) D(A1) D(A3) D([...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 13 of 16 Read/Write T iming [16, 18, 19] Notes: 18. The data bus (Q) remains in High-Z following a Write cycle unless an ADSP , ADSC , or ADV cycle is performed. 19. GW is HIGH. Timing Diagrams (continued) t CYC t CL CLK t ADH t ADS ADDRESS t CH t AH t AS A2 t CEH t CES Single WRITE D(A3) A3 A4 BURST REA[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 14 of 16 ZZ Mode T iming [20, 21] Notes: 20. Device must be deselected when entering ZZ mode. See Cycle Descr iptions t able for all possible signal conditions to deselect the device. 21. DQs are in High-Z when exiting ZZ sleep mode. Timing Diagrams (continued) t ZZ I SUPPLY CLK ZZ t ZZREC A LL INPUTS (e[...]

  • Pagina 15

    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 15 of 16 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress prod uct. Nor do[...]

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    CY7C1217H Document #: 38-05670 Rev . *B Page 16 of 16 Document History Page Document Title: CY7C1217H 1-Mbit (32K x 36) Flow-Through Sync SRAM Document Number: 38 -05670 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 345879 See ECN PCI New Data Sheet *A 430677 See ECN NXR Changed ad dress of Cypress Semi conductor Corporation on [...]