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Cypress CY7C1318CV18-267BZXC manuale d’uso - BKManuals
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Cypress CY7C1318CV18-267BZXC manuale d’uso

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Un buon manuale d’uso

Le regole impongono al rivenditore l'obbligo di fornire all'acquirente, insieme alle merci, il manuale d’uso Cypress CY7C1318CV18-267BZXC. La mancanza del manuale d’uso o le informazioni errate fornite al consumatore sono la base di una denuncia in caso di inosservanza del dispositivo con il contratto. Secondo la legge, l’inclusione del manuale d’uso in una forma diversa da quella cartacea è permessa, che viene spesso utilizzato recentemente, includendo una forma grafica o elettronica Cypress CY7C1318CV18-267BZXC o video didattici per gli utenti. La condizione è il suo carattere leggibile e comprensibile.

Che cosa è il manuale d’uso?

La parola deriva dal latino "instructio", cioè organizzare. Così, il manuale d’uso Cypress CY7C1318CV18-267BZXC descrive le fasi del procedimento. Lo scopo del manuale d’uso è istruire, facilitare lo avviamento, l'uso di attrezzature o l’esecuzione di determinate azioni. Il manuale è una raccolta di informazioni sull'oggetto/servizio, un suggerimento.

Purtroppo, pochi utenti prendono il tempo di leggere il manuale d’uso, e un buono manuale non solo permette di conoscere una serie di funzionalità aggiuntive del dispositivo acquistato, ma anche evitare la maggioranza dei guasti.

Quindi cosa dovrebbe contenere il manuale perfetto?

Innanzitutto, il manuale d’uso Cypress CY7C1318CV18-267BZXC dovrebbe contenere:
- informazioni sui dati tecnici del dispositivo Cypress CY7C1318CV18-267BZXC
- nome del fabbricante e anno di fabbricazione Cypress CY7C1318CV18-267BZXC
- istruzioni per l'uso, la regolazione e la manutenzione delle attrezzature Cypress CY7C1318CV18-267BZXC
- segnaletica di sicurezza e certificati che confermano la conformità con le norme pertinenti

Perché non leggiamo i manuali d’uso?

Generalmente questo è dovuto alla mancanza di tempo e certezza per quanto riguarda la funzionalità specifica delle attrezzature acquistate. Purtroppo, la connessione e l’avvio Cypress CY7C1318CV18-267BZXC non sono sufficienti. Questo manuale contiene una serie di linee guida per funzionalità specifiche, la sicurezza, metodi di manutenzione (anche i mezzi che dovrebbero essere usati), eventuali difetti Cypress CY7C1318CV18-267BZXC e modi per risolvere i problemi più comuni durante l'uso. Infine, il manuale contiene le coordinate del servizio Cypress in assenza dell'efficacia delle soluzioni proposte. Attualmente, i manuali d’uso sotto forma di animazioni interessanti e video didattici che sono migliori che la brochure suscitano un interesse considerevole. Questo tipo di manuale permette all'utente di visualizzare tutto il video didattico senza saltare le specifiche e complicate descrizioni tecniche Cypress CY7C1318CV18-267BZXC, come nel caso della versione cartacea.

Perché leggere il manuale d’uso?

Prima di tutto, contiene la risposta sulla struttura, le possibilità del dispositivo Cypress CY7C1318CV18-267BZXC, l'uso di vari accessori ed una serie di informazioni per sfruttare totalmente tutte le caratteristiche e servizi.

Dopo l'acquisto di successo di attrezzature/dispositivo, prendere un momento per familiarizzare con tutte le parti del manuale d'uso Cypress CY7C1318CV18-267BZXC. Attualmente, sono preparati con cura e tradotti per essere comprensibili non solo per gli utenti, ma per svolgere la loro funzione di base di informazioni e di aiuto.

Sommario del manuale d’uso

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    18-Mbit DDR II SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2600 Document Number: 001-07160 Rev . *F Revised August 24, 2009 Features ■ 18-Mbit Density (1M x 18, 512K x 36) ■ 267 MHz Clock for high Bandwidth ■ 2-word Burst fo r red[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 2 of 26 Logic Block Diagram (CY7C1318CV18) Logic Block Diagram (CY7C1320CV18) Wri te Reg Write Reg CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register Read Add. Decode Read Data Reg. R/W Output Logic Reg. Reg. Reg. 18 36 18 BWS [1:0] V REF Write Add. Decode 18 20 C C 18 LD Control [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 3 of 26 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1318CV18 and CY7C 1320CV18 follow . [1] 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1 .4 mm) Pinout CY7C1318CV18 (1M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A R/W BWS 1 K NC/14 4M LD A NC/36M CQ B NC DQ9 NC A NC/288M K BWS 0 AN C N C D Q 8 C NC NC NC V[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 4 of 26 Pin Definitions Pin Name I/O Pin Description DQ [x:0] Input Output- Synchronous Dat a Input Output S ignals . Inputs are sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write operations. These pins dri ve out t he requested data during a read opera tion. V alid dat[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 5 of 26 DOFF Input DLL T urn Off − Active LOW . Connecting this pin to gro und turns off the DLL inside the device . The timing in the DLL tu rned off operation is diff erent from th at listed in this da ta sheet. For normal operation, this pin can be connected to a pull up throug[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 6 of 26 Functional Overview The CY7C1318CV18, and CY7C1 320CV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs equipped with a DDR interface , which operates with a read latency of o ne and half cycles when DOFF pin is tied HIGH. When DOFF pin is set LOW or connected to V SS the device beha [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 7 of 26 Programmable Impedan ce An external resistor , RQ, must be connected between the Z Q pin on the SRAM and V SS to e nable the SRAM to adjust its output driver impedance. The value of RQ must be 5x the value of th e intended line impedance d riven by the SRAM. The allowable ra[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 8 of 26 T ruth T able The truth table for the CY7C1318CV18, and CY7C1320CV1 8 follows. [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K LD R/W DQ DQ Write Cycle: Load address; wait one cycle; input write data on consecutive K and K rising edges. L-H L L D(A1) at K(t + 1) ↑ D(A2) at K (t + 1) ↑ Re[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 9 of 26 Write Cycle Descriptions The write cycle description t able for CY7C1 320CV18 follows. [2, 8] BWS 0 BWS 1 BWS 2 BWS 3 K K Comments LLLL L – H – D u r i n g t h e d a t a p o r t i o n o f a w r i t e s e quence, all fou r bytes (D [35:0] ) are written into the device. LL[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 10 of 26 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.1 -2001. The T AP operates using JEDEC standard 1.8V I/O logic leve ls. Disabling t[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 1 1 of 26 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister . It also places the instruction re gister between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the device when the T AP controller enters the Shift-DR state. The IDCODE[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 12 of 26 T AP Controller St ate Diag ram The state diagram for the T AP controller follows. [9] TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC / IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 SELECT IR-S[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 13 of 26 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1 , 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 μ A1 . 6 V V OL1 Output LO[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 14 of 26 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max Unit t TCYC TCK Clock Cycle Time 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH 20 ns t TL TCK Clock LOW 20 ns Setup Times t TMSS TMS Setup to TCK Clock Rise 5 ns t [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 15 of 26 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e Description CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Revision Number (31:2 9) 0 00 000 V ersion nu mber . Cy p r e ss D e vi c e ID ( 2 8: 1 2 ) 1 10101000100101 01 1 1010100010100101 D ef i n e s t h e ty p e of S R AM . Cy[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 16 of 26 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 2J 1 6 P2 9 9 G 5 7 5 B8 5 3 K 2 6N 30 1 1F 58 5A 86 3J 3 7P 31 1 1G 59 4A 87 2K 4 7 N3 2 9 F 6 0 5 C8 8 1 K 5 7R 33 10F 61 4B 89 2L 6 8R 34 1 1E 62 3A 90 3L 7 8P 35 10E 63 1H 9[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 17 of 26 Power Up Sequence in DDR II SRAM DDR II SRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operation s. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DOFF either HIGH or LOW (all other inputs can be HIGH or LOW). ❐ Apply V DD before V DDQ [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 18 of 26 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature .................. ............... –65°C to +150°C Ambient T emp erature with Powe r Applied.. –55°C to +125°C Supply V [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 19 of 26 I SB1 Automatic Power Down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V IN ≥ V IH or V IN ≤ V IL f = f MAX = 1/t CYC , Inputs S tatic 267 MHz (x18) 315 mA (x36) 330 250 MHz (x18) 300 (x36) 320 200 MHz (x18) 290 (x36) 300 167 MHz (x18) 285 (x36) 295 AC Electrical Characte[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 20 of 26 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consorti um Parameter Description 267 MHz 250 MHz 200 MHz 167 MHz Unit Min Max Min Max Min Max Min Max t POWER V DD (T ypical) to the First Access [22] 1–1–1–1– m s t CYC t KHKH K Clock an[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 21 of 26 Output T imes t CO t CHQV C/C Clock Rise (or K/K in single clock mode) to Data V ali d – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.50 ns t DOH t CHQX Data Output Hold af ter Output C/C Clock Rise (Active to Active) –0.45 – –0.45 – –0.45 – –0.50 – ns t CCQO t CHCQV C/C [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 22 of 26 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [26, 27, 28] READ READ READ NOP NOP WRITE WRITE NOP 1 23 4 56 7 8 9 1 0 Q40 t KHCH t CO t t HC t t HA t SD t HD t KHCH t SD t HD DON’ T CARE UNDEFINED t CLZ t DOH t CHZ SC t KH t KHKH t KL t CY C A0 D20 D21 D30 D[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 23 of 26 Ordering Information The table below contains only the parts that are currently available. If you don’t se e what you are looking for , please contact your local sales representative. For more information, visit the Cypress website at www .cypress.com and refer to the pro[...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 24 of 26 Package Diagram Figure 6. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm), 51-85180 51-85180-*B A 1 PIN 1 CORNER 15.00±0.10 13.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø0.25 M C A B Ø0.08 M C B A 0.15(4X) 0.35±0.06 SEA TING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C PIN 1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 [...]

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    CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 Document Number: 001-07160 Rev . *F Page 25 of 26 Document History Page Document Title: CY7C1318CV18/CY7C1320CV18, 18 -Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Document Number: 001-07160 Rev . ECN No. Submission Date Orig. o f Change Description of Chan ge ** 433284 See ECN NXR New data sheet *A 462615 See ECN NXR Change[...]

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    Document Number: 001-07160 Rev . *F Revised August 24, 2009 Page 26 of 26 QDR RAMs an d Quad Data R ate RAMs comprise a new family o f products deve loped by Cypress, I DT , NEC, Renesas, and Samsung. All pr oduct and comp any names m entioned in this document are the tr ademark s of their re specti ve holders . CY7C1318CV18 CY7C1320CV18 © Cypress[...]