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Cypress Semiconductor CY62147DV18 manual

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Manuais similares

Bom manual de uso

As regras impõem ao revendedor a obrigação de fornecer ao comprador o manual com o produto Cypress Semiconductor CY62147DV18. A falta de manual ou informações incorretas fornecidas ao consumidor são a base de uma queixa por não conformidade do produto com o contrato. De acordo com a lei, pode anexar o manual em uma outra forma de que em papel, o que é frequentemente utilizado, anexando uma forma gráfica ou manual electrónicoCypress Semiconductor CY62147DV18 vídeos instrutivos para os usuários. A condição é uma forma legível e compreensível.

O que é a instrução?

A palavra vem do latim "Instructio" ou instruir. Portanto, no manual Cypress Semiconductor CY62147DV18 você pode encontrar uma descrição das fases do processo. O objetivo do manual é instruir, facilitar o arranque, a utilização do equipamento ou a execução de determinadas tarefas. O manual é uma coleção de informações sobre o objeto / serviço, um guia.

Infelizmente, pequenos usuários tomam o tempo para ler o manual Cypress Semiconductor CY62147DV18, e um bom manual não só permite conhecer uma série de funcionalidades adicionais do dispositivo, mas evita a formação da maioria das falhas.

Então, o que deve conter o manual perfeito?

Primeiro, o manual Cypress Semiconductor CY62147DV18 deve conte:
- dados técnicos do dispositivo Cypress Semiconductor CY62147DV18
- nome do fabricante e ano de fabricação do dispositivo Cypress Semiconductor CY62147DV18
- instruções de utilização, regulação e manutenção do dispositivo Cypress Semiconductor CY62147DV18
- sinais de segurança e certificados que comprovam a conformidade com as normas pertinentes

Por que você não ler manuais?

Normalmente, isso é devido à falta de tempo e à certeza quanto à funcionalidade específica do dispositivo adquirido. Infelizmente, a mesma ligação e o arranque Cypress Semiconductor CY62147DV18 não são suficientes. O manual contém uma série de orientações sobre funcionalidades específicas, a segurança, os métodos de manutenção (mesmo sobre produtos que devem ser usados), possíveis defeitos Cypress Semiconductor CY62147DV18 e formas de resolver problemas comuns durante o uso. No final, no manual podemos encontrar as coordenadas do serviço Cypress Semiconductor na ausência da eficácia das soluções propostas. Atualmente, muito apreciados são manuais na forma de animações interessantes e vídeos de instrução que de uma forma melhor do que o o folheto falam ao usuário. Este tipo de manual é a chance que o usuário percorrer todo o vídeo instrutivo, sem ignorar especificações e descrições técnicas complicadas Cypress Semiconductor CY62147DV18, como para a versão papel.

Por que ler manuais?

Primeiro de tudo, contem a resposta sobre a construção, as possibilidades do dispositivo Cypress Semiconductor CY62147DV18, uso dos acessórios individuais e uma gama de informações para desfrutar plenamente todos os recursos e facilidades.

Após a compra bem sucedida de um equipamento / dispositivo, é bom ter um momento para se familiarizar com cada parte do manual Cypress Semiconductor CY62147DV18. Atualmente, são cuidadosamente preparados e traduzidos para sejam não só compreensíveis para os usuários, mas para cumprir a sua função básica de informação

Índice do manual

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    4-Mb (256K x 16) S t atic RAM CY62147DV18 MoBL2™ Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-943-2600 Document #: 38-05343 Rev . *B Revised February 26, 2004 Features • V ery hig h speed: 55 ns and 70 n s • Wide volt age range: 1.65V – 2.25V • Pin-compatible with CY62147CV18 • Ultra-lo[...]

  • Página 2

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 2 of 1 1 Pin Configuration [2 , 3 , 4] FBGA (T o p View) Notes: 2. NC pins are not internally connected on th e die. 3. DNU pins have to be left f loating or tied to Vss to ensure proper application. 4. Pins H1, G2, and H6 in the BGA package are address ex pansion pin s for 8 Mb, 16 Mb, and 32[...]

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    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 3 of 1 1 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide - lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ..... – 65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... – 55°C to + 125°[...]

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    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 4 of 1 1 I SB1 Automatic CE Power-Down Current — CMOS Inputs CE > V CC − 0.2V , V IN >V CC –0.2V , V IN < 0.2V); f = f MAX (Address and Data Only), f = 0 ( OE, WE , BHE and BLE ) V CC(max) =1.95V L 0.5 12 0.5 12 µ A LL 8 8 V CC(max) =2.25V L 0.5 18 0.5 18 LL 12 12 I SB2 Automat[...]

  • Página 5

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 5 of 1 1 wqewqewq Dat a Retention W aveform [9] Switching Characteristics Over the Operatin g Range [ 10. ] Parameter Description 55 ns 70 ns Unit Min. Max. Min. Max. Read Cycle t RC Read Cycle T ime 55 70 ns t AA Address to Data V alid 55 70 ns t OHA Data Hold from Address Change 10 10 ns t A[...]

  • Página 6

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 6 of 1 1 Switching W aveforms Notes: 14. The device is cont inuously selected. OE, CE = V IL , BHE and/ or BLE = V IL . 15. WE is HIGH for read cycle. 16. Address valid prior to or coincident with CE and BHE , BLE trans ition LOW . ADDRESS DA T A OUT PREVIOUS DA T A V ALID DA T A V ALID t RC t[...]

  • Página 7

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 7 of 1 1 Notes: 17. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 18. If CE goes HIGH simultaneously wi th WE = V IH , the output remains in a high-impe dance state. 19. During this period, the I/Os are in out put st ate and input signals shoul d not be applied. Switching W aveforms (continued) t [...]

  • Página 8

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 8 of 1 1 Switching W aveforms (continued) DATA IN t HD t SD t LZWE t PWE t SA t HA t AW t SCE t WC t HZWE CE ADDRESS WE DATA I/O NOTE 19 Write Cycle N o. 3 (WE Controlled, OE LOW) t BW BHE /BLE [18] DATA I/O ADDRESS t HD t SD t SA t HA t AW t WC CE WE DATA IN Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Contro[...]

  • Página 9

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 9 of 1 1 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) X X X H H High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) L H L L L Data Out (I/O O –I/O 15 ) Read Active (I CC ) L H L H L Data Out (I/O O –I/O 7 ); I/O 8 –I/O 15 in High [...]

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    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 10 of 1 1 © Cypress Semico nductor Corpor ation, 2004. Th e information contained herein is subjec t to change without notice. Cypre ss Semico nductor Corporation a ssumes no responsibility fo r the use of any circ uitry other th an circuitry embodied in a Cypress Sem iconductor pro duct. Nor[...]

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    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 1 1 of 1 1 Document History Page Document Title:CY62147DV18 MoBL2™ 4-Mb (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38 -05343 REV . EC N NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 127482 06/17/03 HRT New Data Sheet *A 131009 1 1/26/03 CBD Changed From Advance to Preliminary *B 2299[...]