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Bom manual de uso
As regras impõem ao revendedor a obrigação de fornecer ao comprador o manual com o produto NXP Semiconductors PIP3210-R. A falta de manual ou informações incorretas fornecidas ao consumidor são a base de uma queixa por não conformidade do produto com o contrato. De acordo com a lei, pode anexar o manual em uma outra forma de que em papel, o que é frequentemente utilizado, anexando uma forma gráfica ou manual electrónicoNXP Semiconductors PIP3210-R vídeos instrutivos para os usuários. A condição é uma forma legível e compreensível.
O que é a instrução?
A palavra vem do latim "Instructio" ou instruir. Portanto, no manual NXP Semiconductors PIP3210-R você pode encontrar uma descrição das fases do processo. O objetivo do manual é instruir, facilitar o arranque, a utilização do equipamento ou a execução de determinadas tarefas. O manual é uma coleção de informações sobre o objeto / serviço, um guia.
Infelizmente, pequenos usuários tomam o tempo para ler o manual NXP Semiconductors PIP3210-R, e um bom manual não só permite conhecer uma série de funcionalidades adicionais do dispositivo, mas evita a formação da maioria das falhas.
Então, o que deve conter o manual perfeito?
Primeiro, o manual NXP Semiconductors PIP3210-R deve conte:
- dados técnicos do dispositivo NXP Semiconductors PIP3210-R
- nome do fabricante e ano de fabricação do dispositivo NXP Semiconductors PIP3210-R
- instruções de utilização, regulação e manutenção do dispositivo NXP Semiconductors PIP3210-R
- sinais de segurança e certificados que comprovam a conformidade com as normas pertinentes
Por que você não ler manuais?
Normalmente, isso é devido à falta de tempo e à certeza quanto à funcionalidade específica do dispositivo adquirido. Infelizmente, a mesma ligação e o arranque NXP Semiconductors PIP3210-R não são suficientes. O manual contém uma série de orientações sobre funcionalidades específicas, a segurança, os métodos de manutenção (mesmo sobre produtos que devem ser usados), possíveis defeitos NXP Semiconductors PIP3210-R e formas de resolver problemas comuns durante o uso. No final, no manual podemos encontrar as coordenadas do serviço NXP Semiconductors na ausência da eficácia das soluções propostas. Atualmente, muito apreciados são manuais na forma de animações interessantes e vídeos de instrução que de uma forma melhor do que o o folheto falam ao usuário. Este tipo de manual é a chance que o usuário percorrer todo o vídeo instrutivo, sem ignorar especificações e descrições técnicas complicadas NXP Semiconductors PIP3210-R, como para a versão papel.
Por que ler manuais?
Primeiro de tudo, contem a resposta sobre a construção, as possibilidades do dispositivo NXP Semiconductors PIP3210-R, uso dos acessórios individuais e uma gama de informações para desfrutar plenamente todos os recursos e facilidades.
Após a compra bem sucedida de um equipamento / dispositivo, é bom ter um momento para se familiarizar com cada parte do manual NXP Semiconductors PIP3210-R. Atualmente, são cuidadosamente preparados e traduzidos para sejam não só compreensíveis para os usuários, mas para cumprir a sua função básica de informação
Índice do manual
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Página 1
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic single channel high side SYMBOL PARAMETER MIN. UNIT protected power switch in TOPFET2 technology assembled in I L Nominal load current (ISO) 9 A a 5 pin plastic surface mount package. SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT APPLICATIONS V B[...]
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Página 2
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT V BG Continuous supply voltage 0 50 V I L Continuous load current T mb ≤ 95˚C - 20 A P D Total power dissipation T mb ≤ 25˚C - 67 W T[...]
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Página 3
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R STATIC CHARACTERISTICS Limits are at -40˚C ≤ T mb ≤ 150˚C and typicals at T mb = 25 ˚C unless otherwise stated. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Clamping voltages V BG Battery to ground I G = 1 mA 50 55 65 V V BL Battery to load I L = I G = 1 mA 50 [...]
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Página 4
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R INPUT CHARACTERISTICS 9 V ≤ V BG ≤ 16 V. Limits are at -40˚C ≤ T mb ≤ 150˚C and typicals at T mb = 25 ˚C unless otherwise stated. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT I I Input current V IG = 5 V 20 90 160 µ A V IG Input clamping voltage I I = 200 [...]
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Página 5
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R UNDERVOLTAGE & OVERVOLTAGE CHARACTERISTICS Limits are at -40˚C ≤ T mb ≤ 150˚C and typicals at T mb = 25 ˚C. Refer to TRUTH TABLE . SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Undervoltage V BG(UV) Low supply threshold voltage 1 2 4.2 5.5 V ∆ V BG(UV) Hys[...]
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Página 6
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R OVERLOAD PROTECTION CHARACTERISTICS 5.5 V ≤ V BG ≤ 35 V, limits are at -40˚C ≤ T mb ≤ 150˚C and typicals at T mb = 25 ˚C unless otherwise stated. Refer to TRUTH TABLE . SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Overload protection V BL = V BG I L(lim) Lo[...]
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Página 7
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R Fig.4. High side switch measurements schematic. (current and voltage conventions) Fig.5. Typical on-state resistance, t p = 300 µ s. R ON = f(T j ); parameter V BG ; condition I L = 10 A Fig.6. Typical on-state characteristics, T j = 25 ˚C. I L = f(T j ); parameter V B[...]
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Página 8
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R Fig.10. Typical supply quiescent current. I B = f(T j ); condition V BG = 16 V, V IG = 0 V, V LG = 0 V Fig.11. Typical off-state leakage current. I L = f(T j ); conditions V BL = 16 V = V BG , V IG = 0 V. Fig.12. Status leakage current. I S = f(T j ); conditions V SG = 5[...]
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Página 9
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R Fig.16. Typical status low characteristic. V SG = f(T j ); conditions V BG ≥ 9 V, I S = 100 µ A Fig.17. Typical threshold voltage characteristic. V IG = f(T j ); condition 9V ≤ V BG ≤ 16V Fig.18. Typical input clamping voltage. V IG = f(T j ); condition I I = 200 [...]
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Página 10
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R Fig.22. Typical battery to ground clamping voltage. V BG = f(T j ); parameter I G Fig.23. Typical battery to load clamping voltage. V BL = f(T j ); parameter I L ; condition I G = 10mA Fig.24. Typical negative load clamping. I L = f(V LG ); conditions V IG = = 0V, T j = [...]
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Página 11
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R Fig.28. Short circuit load threshold voltage. V BL(TO) = f(V BG ); conditions -40˚C ≤ T mb ≤ 150˚C Fig.29. Typical output capacitance. T mb = 25 ˚C C bl = f(V BL ); conditions f = 1 MHz, V IG = 0 V Fig.30. Typical reverse battery characteristic. I G = f(V BG ); co[...]
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Página 12
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R MECHANICAL DATA Fig.34. SOT426 surface mounting package 1 , centre pin connected to mounting base. REFERENCES OUTLINE VERSION EUROPEAN PROJECTION ISSUE DATE IEC JEDEC EIAJ SOT426 0 2.5 5 mm scale Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D 2 -PAK);[...]
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Página 13
Philips Semiconductors Product specification TOPFET high side switch PIP3210-R DEFINITIONS DATA SHEET STATUS DATA SHEET PRODUCT DEFINITIONS STATUS 1 STATUS 2 Objective data Development This data sheet contains data from the objective specification for product development. Philips Semiconductors reserves the right to change the specification in any [...]