Русский dropdown-ico

Cypress Semiconductor CY7C1510KV18 инструкция обслуживания

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30

Идти на страницу of

Похожие руководства по эксплуатации

Хорошее руководство по эксплуатации

Законодательство обязывает продавца передать покупателю, вместе с товаром, руководство по эксплуатации Cypress Semiconductor CY7C1510KV18. Отсутствие инструкции либо неправильная информация, переданная потребителю, составляют основание для рекламации в связи с несоответствием устройства с договором. В законодательстве допускается предоставлении руководства в другой, чем бумажная форме, что, в последнее время, часто используется, предоставляя графическую или электронную форму инструкции Cypress Semiconductor CY7C1510KV18 или обучающее видео для пользователей. Условием остается четкая и понятная форма.

Что такое руководство?

Слово происходит от латинского "instructio", тоесть привести в порядок. Следовательно в инструкции Cypress Semiconductor CY7C1510KV18 можно найти описание этапов поведения. Цель инструкции заключается в облегчении запуска, использования оборудования либо выполнения определенной деятельности. Инструкция является набором информации о предмете/услуге, подсказкой.

К сожалению немного пользователей находит время для чтения инструкций Cypress Semiconductor CY7C1510KV18, и хорошая инструкция позволяет не только узнать ряд дополнительных функций приобретенного устройства, но и позволяет избежать возникновения большинства поломок.

Из чего должно состоять идеальное руководство по эксплуатации?

Прежде всего в инструкции Cypress Semiconductor CY7C1510KV18 должна находится:
- информация относительно технических данных устройства Cypress Semiconductor CY7C1510KV18
- название производителя и год производства оборудования Cypress Semiconductor CY7C1510KV18
- правила обслуживания, настройки и ухода за оборудованием Cypress Semiconductor CY7C1510KV18
- знаки безопасности и сертификаты, подтверждающие соответствие стандартам

Почему мы не читаем инструкций?

Как правило из-за нехватки времени и уверенности в отдельных функциональностях приобретенных устройств. К сожалению само подсоединение и запуск Cypress Semiconductor CY7C1510KV18 это слишком мало. Инструкция заключает ряд отдельных указаний, касающихся функциональности, принципов безопасности, способов ухода (даже то, какие средства стоит использовать), возможных поломок Cypress Semiconductor CY7C1510KV18 и способов решения проблем, возникающих во время использования. И наконец то, в инструкции можно найти адресные данные сайта Cypress Semiconductor, в случае отсутствия эффективности предлагаемых решений. Сейчас очень большой популярностью пользуются инструкции в форме интересных анимаций или видео материалов, которое лучше, чем брошюра воспринимаются пользователем. Такой вид инструкции позволяет пользователю просмотреть весь фильм, не пропуская спецификацию и сложные технические описания Cypress Semiconductor CY7C1510KV18, как это часто бывает в случае бумажной версии.

Почему стоит читать инструкции?

Прежде всего здесь мы найдем ответы касательно конструкции, возможностей устройства Cypress Semiconductor CY7C1510KV18, использования отдельных аксессуаров и ряд информации, позволяющей вполне использовать все функции и упрощения.

После удачной покупки оборудования/устройства стоит посвятить несколько минут для ознакомления с каждой частью инструкции Cypress Semiconductor CY7C1510KV18. Сейчас их старательно готовят или переводят, чтобы они были не только понятными для пользователя, но и чтобы выполняли свою основную информационно-поддерживающую функцию.

Содержание руководства

  • Страница 1

    72-Mbit QDR™-II SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2600 Document Number: 001-00436 Rev . *E Revised March 30, 2009 Features ■ Separate Independent Read and Write Data Ports ❐ Supports concurren[...]

  • Страница 2

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 2 of 30 Logic Block Diagram (CY7C1510KV18) Logic Block Diagram (CY7C1525KV18) 4M x 8 Array CLK A (21:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [7:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 8 22 16 8 NWS [1:[...]

  • Страница 3

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 3 of 30 Logic Block Diagram (CY7C1512KV18) Logic Block Diagram (CY7C1514KV18) 2M x 18 Array CLK A (20:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 18 21 36 18 BWS[...]

  • Страница 4

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 4 of 30 Pin Configuration The pin configurations for CY7C1510KV18, CY7C 1525 KV18, CY7C1512KV18, and CY7C1514KV18 fo llow . [1] 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1 .4 mm) Pinout CY7C1510KV18 (8M x 8) 123456789 10 11 A CQ AA W P S NWS 1 K NC/144M RPS AA C Q B NC NC[...]

  • Страница 5

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 5 of 30 CY7C1512KV18 (4M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/144M A WPS BWS 1 K NC/288M RPS AA C Q B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 V SS AAA V SS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q10 V SS V SS V SS V SS V SS NC NC D7 E NC NC Q1 1 V DDQ V SS V SS V SS V DDQ NC[...]

  • Страница 6

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 6 of 30 Pin Definitions Pin Name I/O Pin Description D [x:0] Input- Synchronous Data Input Signals . Sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write operations. CY7C1510KV18 − D [7:0] CY7C1525KV18 − D [8:0] CY7C1512KV18 − D [17:0] CY[...]

  • Страница 7

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 7 of 30 CQ Echo Clock CQ Referenced with Respect to C . This is a free running clock and is synchronized to the input clock for output data (C) of the QDR-II. In singl e clock mode , CQ is generated with respect to K. The timing for the echo clocks is sho[...]

  • Страница 8

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 8 of 30 Functional Overview The CY7C1510KV18, CY7C1525KV18, CY7C1512 KV18, and CY7C1514KV18 are synchronous pipelin ed Burst SRAMs with a read port and a write port. The read port is dedicated to rea d operations and the write port is dedicated to write o[...]

  • Страница 9

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 9 of 30 Echo Clocks Echo clocks are provided on the QD R-II to simplify data capture on high speed systems. T wo echo clocks are generated by the QDR-II. CQ is referenced with respect to C and CQ is referenced with respect to C . These are free running cl[...]

  • Страница 10

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 10 of 30 T ruth T able The truth table for CY7C1510KV18, CY7C1525KV18, CY7C1512KV18, and CY7C1514KV18 follow . [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K RPS WPS DQ DQ Write Cycle: Load address on the rising ed ge of K ; input write data on K and K rising edges. L-H [...]

  • Страница 11

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 1 1 of 30 Write Cycle Descriptions The write cycle description t able for CY7C1525KV18 follow . [2, 8] BWS 0 K K L L–H – During the data portion of a write sequence, the single b yte (D [8:0] ) is written into the device. L – L–H During the data p[...]

  • Страница 12

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 12 of 30 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA package. This part is fully complia nt with IEEE S tandard #1 149.1 -2001. The T AP operates using JEDEC standard 1.8V I[...]

  • Страница 13

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 13 of 30 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister . It also places the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the device when the T AP controller enters the [...]

  • Страница 14

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 14 of 30 T AP Controller St ate Diag ram The state diagram for the T AP controller follows. [9] TEST -LOGIC RESET TEST -L OGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1[...]

  • Страница 15

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 15 of 30 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1 , 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V o ltage I OH = − 2.0 mA 1.4 V V OH2 Output HIGH V o ltage I OH = − 1[...]

  • Страница 16

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 16 of 30 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max Unit t TCYC TCK Clock Cycle Time 50 ns t TF TCK Clock Frequency 20 MHz t TH TCK Clock HIGH 20 ns t TL TCK Clock LOW 20 ns Setup Times t TMSS TMS Set[...]

  • Страница 17

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 17 of 30 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e De scription CY7C1510KV18 CY7C1525KV18 CY7 C1512KV18 CY7C1514KV18 Revision Numb er (31:29) 000 000 000 000 V ersion number . Cypress Device ID (28:12) 1 101001 1 010000100 1 101001 [...]

  • Страница 18

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 18 of 30 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bum p ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1J 1 6 P2 9 9 G 5 7 5 B8 5 2 J 2 6N 30 1 1F 58 5A 86 3K 3 7P 31 1 1G 59 4A 87 3J 4 7 N3 2 9 F 6 0 5 C8 8 2 K 5 7R 33 10F 61 4B 89 1K 6 8R 34 1 1E 62[...]

  • Страница 19

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 19 of 30 Power Up Sequence in QDR-II SRAM QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operation s. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DOFF either HIGH or LOW (All other inputs can be HIGH or LOW). [...]

  • Страница 20

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 20 of 30 Maximum Ratings Exceeding maximum ratin gs may impair the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperat ure .......... .................... ... –65°C to +150°C Ambient T emp erature wit h Power Applied..[...]

  • Страница 21

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 21 of 30 I DD [19] V DD Operating Supply V DD = Max, I OUT = 0 mA, f = f MAX = 1/t CYC 200 MHz (x8) 540 mA (x9) 540 (x18) 550 (x36) 660 167 MHz (x8) 480 mA (x9) 480 (x18) 490 (x36) 580 I SB1 Automatic Power Down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V[...]

  • Страница 22

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 22 of 30 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Conditions Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.8V , V DDQ = 1.5V 2 pF C O Output C[...]

  • Страница 23

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 23 of 30 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consorti um Parameter Description 333 MHz 300 MHz 250 MHz 200 MHz 167 MHz Unit Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max t POWER V DD (T ypical) to the First Access [22] [...]

  • Страница 24

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 24 of 30 Output T imes t CO t CHQV C/C Clock Rise (or K/K in single clock mode) to Data V alid – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.45 – 0.50 ns t DOH t CHQX Data Output Hold af ter Output C/C Clock Rise (Active to Active) –0.45 – –0.45 – –0.45 ?[...]

  • Страница 25

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 25 of 30 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [2 6, 27, 28] K 1 2 34 5 8 10 6 7 K RPS WPS A D READ READ WRITE WRITE WRITE NOP READ WRITE NOP 9 A0 t KH t KHKH t KL t CY C tt HC t SA t HA t SD t HD SC t t SA t HA t SD t HD A6 A5 A3 A4[...]

  • Страница 26

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 26 of 30 Ordering Information The following table lists all possible speed, package, and temperat ure range options supported for these devi ces. Note that som e options listed may not be availabl e for order entry . T o verify th e availabilit y of a spe[...]

  • Страница 27

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 27 of 30 250 CY7C1510KV18-250BZC 51-85180 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1525KV18-250BZC CY7C1512KV18-250BZC CY7C1514KV18-250BZC CY7C1510KV18-250BZXC 51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) P[...]

  • Страница 28

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 28 of 30 167 CY7C1510KV18-167BZC 51-85180 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Commercial CY7C1525KV18-167BZC CY7C1512KV18-167BZC CY7C1514KV18-167BZC CY7C1510KV18-167BZXC 51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) P[...]

  • Страница 29

    CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512KV18, CY7C1514KV18 Document Number: 001-00436 Rev . *E Page 29 of 30 Package Diagram Figure 6. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm), 51-85180 A 1 PIN 1 CORNER 15.00±0.10 13.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø 0 . 2 5MCAB Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.35±0.06 SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C PIN 1 CORNER TOP VIEW B[...]

  • Страница 30

    Document Number: 001-00436 Rev . *E Revised March 30, 2009 Page 30 of 30 QDR RAMs an d Quad Data Rate RAMs comp rise a new family of product s develope d by Cypress, IDT , NEC, Renesas, and Samsung. A ll pr oduct an d company n ames mentione d in this do cument are the tr ademark s of their re specti ve holders . CY7C1510KV18, CY7C1525KV18 CY7C1512[...]