Русский dropdown-ico

Cypress CY62147DV18 инструкция обслуживания

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11

Идти на страницу of

Похожие руководства по эксплуатации

Хорошее руководство по эксплуатации

Законодательство обязывает продавца передать покупателю, вместе с товаром, руководство по эксплуатации Cypress CY62147DV18. Отсутствие инструкции либо неправильная информация, переданная потребителю, составляют основание для рекламации в связи с несоответствием устройства с договором. В законодательстве допускается предоставлении руководства в другой, чем бумажная форме, что, в последнее время, часто используется, предоставляя графическую или электронную форму инструкции Cypress CY62147DV18 или обучающее видео для пользователей. Условием остается четкая и понятная форма.

Что такое руководство?

Слово происходит от латинского "instructio", тоесть привести в порядок. Следовательно в инструкции Cypress CY62147DV18 можно найти описание этапов поведения. Цель инструкции заключается в облегчении запуска, использования оборудования либо выполнения определенной деятельности. Инструкция является набором информации о предмете/услуге, подсказкой.

К сожалению немного пользователей находит время для чтения инструкций Cypress CY62147DV18, и хорошая инструкция позволяет не только узнать ряд дополнительных функций приобретенного устройства, но и позволяет избежать возникновения большинства поломок.

Из чего должно состоять идеальное руководство по эксплуатации?

Прежде всего в инструкции Cypress CY62147DV18 должна находится:
- информация относительно технических данных устройства Cypress CY62147DV18
- название производителя и год производства оборудования Cypress CY62147DV18
- правила обслуживания, настройки и ухода за оборудованием Cypress CY62147DV18
- знаки безопасности и сертификаты, подтверждающие соответствие стандартам

Почему мы не читаем инструкций?

Как правило из-за нехватки времени и уверенности в отдельных функциональностях приобретенных устройств. К сожалению само подсоединение и запуск Cypress CY62147DV18 это слишком мало. Инструкция заключает ряд отдельных указаний, касающихся функциональности, принципов безопасности, способов ухода (даже то, какие средства стоит использовать), возможных поломок Cypress CY62147DV18 и способов решения проблем, возникающих во время использования. И наконец то, в инструкции можно найти адресные данные сайта Cypress, в случае отсутствия эффективности предлагаемых решений. Сейчас очень большой популярностью пользуются инструкции в форме интересных анимаций или видео материалов, которое лучше, чем брошюра воспринимаются пользователем. Такой вид инструкции позволяет пользователю просмотреть весь фильм, не пропуская спецификацию и сложные технические описания Cypress CY62147DV18, как это часто бывает в случае бумажной версии.

Почему стоит читать инструкции?

Прежде всего здесь мы найдем ответы касательно конструкции, возможностей устройства Cypress CY62147DV18, использования отдельных аксессуаров и ряд информации, позволяющей вполне использовать все функции и упрощения.

После удачной покупки оборудования/устройства стоит посвятить несколько минут для ознакомления с каждой частью инструкции Cypress CY62147DV18. Сейчас их старательно готовят или переводят, чтобы они были не только понятными для пользователя, но и чтобы выполняли свою основную информационно-поддерживающую функцию.

Содержание руководства

  • Страница 1

    4-Mb (256K x 16) S t atic RAM CY62147DV18 MoBL2™ Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-943-2600 Document #: 38-05343 Rev . *B Revised February 26, 2004 Features • V ery hig h speed: 55 ns and 70 n s • Wide volt age range: 1.65V – 2.25V • Pin-compatible with CY62147CV18 • Ultra-lo[...]

  • Страница 2

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 2 of 1 1 Pin Configuration [2 , 3 , 4] FBGA (T o p View) Notes: 2. NC pins are not internally connected on th e die. 3. DNU pins have to be left f loating or tied to Vss to ensure proper application. 4. Pins H1, G2, and H6 in the BGA package are address ex pansion pin s for 8 Mb, 16 Mb, and 32[...]

  • Страница 3

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 3 of 1 1 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide - lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... –55°C to + 125°C [...]

  • Страница 4

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 4 of 1 1 I SB1 Automatic CE Power-Down Current — CMOS Inputs CE > V CC − 0.2V , V IN >V CC –0.2V , V IN < 0.2V); f = f MAX (Address and Data Only), f = 0 ( OE, WE , BHE and BLE ) V CC(max) =1.95V L 0.5 12 0.5 12 µ A LL 8 8 V CC(max) =2.25V L 0.5 18 0.5 18 LL 12 12 I SB2 Automat[...]

  • Страница 5

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 5 of 1 1 wqewqewq Dat a Retention W aveform [9] Switching Characteristics Over the Operatin g Range [ 10. ] Parameter Description 55 ns 70 ns Unit Min. Max. Min. Max. Read Cycle t RC Read Cycle T ime 55 70 ns t AA Address to Data V alid 55 70 ns t OHA Data Hold from Address Change 10 10 ns t A[...]

  • Страница 6

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 6 of 1 1 Switching W aveforms Notes: 14. The device is cont inuously selected. OE, CE = V IL , BHE and/ or BLE = V IL . 15. WE is HIGH for read cycle. 16. Address valid prior to or coincident with CE and BHE , BLE trans ition LOW . ADDRESS DA T A OUT PREVIOUS DA T A V ALID DA T A V ALID t RC t[...]

  • Страница 7

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 7 of 1 1 Notes: 17. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 18. If CE goes HIGH simultaneously wi th WE = V IH , the output remains in a high-impe dance state. 19. During this period, the I/Os are in out put st ate and input signals shoul d not be applied. Switching W aveforms (continued) t [...]

  • Страница 8

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 8 of 1 1 Switching W aveforms (continued) DATA IN t HD t SD t LZWE t PWE t SA t HA t AW t SCE t WC t HZWE CE ADDRESS WE DATA I/O NOTE 19 Write Cycle N o. 3 (WE Controlled, OE LOW) t BW BHE /BLE [18] DATA I/O ADDRESS t HD t SD t SA t HA t AW t WC CE WE DATA IN Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Contro[...]

  • Страница 9

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 9 of 1 1 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) X X X H H High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) L H L L L Data Out (I/O O –I/O 15 ) Read Active (I CC ) L H L H L Data Out (I/O O –I/O 7 ); I/O 8 –I/O 15 in High [...]

  • Страница 10

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 10 of 1 1 © Cypress Semico nductor Corpor ation, 2004. Th e information contained herein is subjec t to change without notice. Cypre ss Semico nductor Corporation a ssumes no responsibility fo r the use of any circ uitry other th an circuitry embodied in a Cypress Sem iconductor pro duct. Nor[...]

  • Страница 11

    CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 1 1 of 1 1 Document History Page Document Title:CY62147DV18 MoBL2™ 4-Mb (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38 -05343 REV . EC N NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 127482 06/17/03 HRT New Data Sheet *A 131009 1 1/26/03 CBD Changed From Advance to Preliminary *B 2299[...]