Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 manuale d’uso
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Un buon manuale d’uso
Le regole impongono al rivenditore l'obbligo di fornire all'acquirente, insieme alle merci, il manuale d’uso Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. La mancanza del manuale d’uso o le informazioni errate fornite al consumatore sono la base di una denuncia in caso di inosservanza del dispositivo con il contratto. Secondo la legge, l’inclusione del manuale d’uso in una forma diversa da quella cartacea è permessa, che viene spesso utilizzato recentemente, includendo una forma grafica o elettronica Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 o video didattici per gli utenti. La condizione è il suo carattere leggibile e comprensibile.
Che cosa è il manuale d’uso?
La parola deriva dal latino "instructio", cioè organizzare. Così, il manuale d’uso Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 descrive le fasi del procedimento. Lo scopo del manuale d’uso è istruire, facilitare lo avviamento, l'uso di attrezzature o l’esecuzione di determinate azioni. Il manuale è una raccolta di informazioni sull'oggetto/servizio, un suggerimento.
Purtroppo, pochi utenti prendono il tempo di leggere il manuale d’uso, e un buono manuale non solo permette di conoscere una serie di funzionalità aggiuntive del dispositivo acquistato, ma anche evitare la maggioranza dei guasti.
Quindi cosa dovrebbe contenere il manuale perfetto?
Innanzitutto, il manuale d’uso Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 dovrebbe contenere:
- informazioni sui dati tecnici del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- nome del fabbricante e anno di fabbricazione Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- istruzioni per l'uso, la regolazione e la manutenzione delle attrezzature Cypress Semiconductor CY7C1303BV25
- segnaletica di sicurezza e certificati che confermano la conformità con le norme pertinenti
Perché non leggiamo i manuali d’uso?
Generalmente questo è dovuto alla mancanza di tempo e certezza per quanto riguarda la funzionalità specifica delle attrezzature acquistate. Purtroppo, la connessione e l’avvio Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 non sono sufficienti. Questo manuale contiene una serie di linee guida per funzionalità specifiche, la sicurezza, metodi di manutenzione (anche i mezzi che dovrebbero essere usati), eventuali difetti Cypress Semiconductor CY7C1303BV25 e modi per risolvere i problemi più comuni durante l'uso. Infine, il manuale contiene le coordinate del servizio Cypress Semiconductor in assenza dell'efficacia delle soluzioni proposte. Attualmente, i manuali d’uso sotto forma di animazioni interessanti e video didattici che sono migliori che la brochure suscitano un interesse considerevole. Questo tipo di manuale permette all'utente di visualizzare tutto il video didattico senza saltare le specifiche e complicate descrizioni tecniche Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, come nel caso della versione cartacea.
Perché leggere il manuale d’uso?
Prima di tutto, contiene la risposta sulla struttura, le possibilità del dispositivo Cypress Semiconductor CY7C1303BV25, l'uso di vari accessori ed una serie di informazioni per sfruttare totalmente tutte le caratteristiche e servizi.
Dopo l'acquisto di successo di attrezzature/dispositivo, prendere un momento per familiarizzare con tutte le parti del manuale d'uso Cypress Semiconductor CY7C1303BV25. Attualmente, sono preparati con cura e tradotti per essere comprensibili non solo per gli utenti, ma per svolgere la loro funzione di base di informazioni e di aiuto.
Sommario del manuale d’uso
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18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with Q DR™ Ar c hi tectu r e CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05627 Rev . *A Revised April 3, 2006 Features • Separate independent Read and Write data ports — Supports concurrent transactions •[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 2 of 19 512Kx18 CLK A (18:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Q [17:0] Control Logic Address Register Reg. Reg. Reg. 18 19 18 36 Wri te 18 BWS 0 Vr e f Write Add. Decode Data Reg Writ e Dat a Reg Memory Array 512Kx18 Memory Array 18 [...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 3 of 19 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1303BV25 (1M x 18 ) 1 2 3456 7 8 9 1 0 1 1 A NC Gnd/ 144M NC/ 36M WPS BWS 1 K NC RPS A Gnd/ 72M NC B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 VSS A A A VSS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q10 VSS VSS VSS VSS VSS NC NC D7 E NC[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 4 of 19 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write opera- tions. CY7C1303BV25 – D [17:0] CY7C1306BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW . Sampled on t[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 5 of 19 Introduction Functional Overview The CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAM equ ipped with both a Read port an d a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write port is dedicated to Write operations. Data flows into the SRAM throu[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 6 of 19 operation is identi cal to the operation if the device had zero skew between the K/K and C/C clocks. All timing parameters remain the same i n thi s mo de . T o use this mode of ope r a ti on , the user must tie C and C HIGH at power-up.This function is a strap option and not alte[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 7 of 19 Write Desc riptions (CY7C1303BV25) [2 , 8] BWS 0 BWS 1 KK Comment s L L L-H - During the Data portion of a W ri te sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the device. L L - L-H During the Data portion of a W rite sequence, both bytes (D [17:0] ) are written into the devi[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 8 of 19 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149.1-1900. The T AP operates using JEDEC standard 2.5V I/O logi c levels. Disabling the JT AG[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 9 of 19 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state. SAMPLE Z The SAMPLE Z instruction caus es the b oundary scan register to be connected between th e TDI and TDO pins when th e T AP controller is in a Shift-DR s[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 10 of 19 T AP Controller S tate Diagram [9] Note: 9. The 0/1 next to each state re present s the value at TMS at the rising edge of TCK. TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR SELECT IR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -IR EXIT1[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 1 1 of 19 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristi cs Over the Operating Rang e [10, 14, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.7 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 µ A2 . 1 V V OL1 Output LOW V[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 12 of 19 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP T iming and T est Conditions [1 2] T AP AC Switching Characte ristics Over the Operating Range [1 1, 12] (continued) Parameter Description Min. Max. Unit (a) TDO C L = 20 pF Z 0 = [...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 13 of 19 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the In put/Output ring contents. IDCODE 001 Loads the ID register with the ve ndor ID code and places the re gister between[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 14 of 19 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N 29 9G 56 6A 83 1J 3 7P 30 11 F 57 5B 84 2J 4 7N 31 11 G 58 5A 85 3K 5 7R 32 9F 59 4A 86 3J 6 8R 33 10F 60 5C 87 2K 7 8P 34 11 E 61 4B 88 1K 8 9R 35 10[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 15 of 19 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... – 55°C to + 125°C Supply V oltage on V DD Relati[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 16 of 19 Cap acit ance [23] Parameter Description T est Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms Switching Characteristics Over the Opera[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 17 of 19 Switching W aveforms [25, 26, 27] Notes: 24. t CHZ , t CLZ , are specified with a load capa cit ance of 5 pF as in part (b) of AC T est Loads. Transition is m easured ± 100 mV from steady-st ate voltag e. 25. Q00 refers to output from address A0. Q01 ref ers to output from the n[...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 18 of 19 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress [...]
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CY7C1306BV25 CY7C1303BV25 Document #: 38-05627 Rev . *A Page 19 of 19 Document History Page Document Title: CY7C1303BV25/CY7C1306BV25 18 -Mbit Burs t of 2 Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05627 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 25301 0 See ECN SYT New Data Sheet *A 43686 4 See ECN NXR Conve[...]